SEMICONDUCTOR DEVICE
A semiconductor device having a terminal BUS being inputted with an applying voltage VBUS higher than a power supply voltage VDD, wherein a gate terminal G4 is applied with the power supply voltage VDD minus a threshold voltage Vthn when the voltage VBUS is lower than the power supply voltage VDD pl...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
09.12.2004
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Edition | 7 |
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Summary: | A semiconductor device having a terminal BUS being inputted with an applying voltage VBUS higher than a power supply voltage VDD, wherein a gate terminal G4 is applied with the power supply voltage VDD minus a threshold voltage Vthn when the voltage VBUS is lower than the power supply voltage VDD plus a threshold voltage Vthp and a PMOS transistor P4 is conducted. A gate terminal G2 is supplied with the power supply voltage VDD and a PMOS transistor P2 is turned off. When the voltage VBUS is equal to or higher than the power supply voltage VDD plus the threshold voltage Vthp, the PMOS transistor P4 is turned off by supplying the voltage VBUS to the gate terminal G4, while furthermore, a PMOS transistor P3 is conducted and the PMOS transistor P4 is turned off by supplying the voltage VBUS to the gate terminal G2. Unnecessary leak current is not fed from the terminal BUS regardless of the applying voltage VBUS and a correct voltage level can be sustained.
L'invention concerne un dispositif à semiconducteur possédant un BUS terminal dans lequel est entrée une tension VBUS supérieure à une tension d'alimentation en puissance VDD, et une tension d'alimentation VDD moins une tension de seuil Vthn est appliquée sur une borne de gâchette G4 lorsque la tension VBUS est inférieure à la tension d'alimentation VDD plus une tension de seuil Vthp et qu'un transistor PMOS P4 devient conducteur. Une borne de gâchette G2 est alimentée en tension d'alimentation VDD et un transistor PMOS P2 est mis à l'arrêt. Lorsque la tension VBUS est supérieure ou égale à la tension d'alimentation VDD plus la tension de seuil Vthp, le transistor PMOS P4 est mis à l'arrêt par l'envoi de la tension VBUS à la borne de gâchette G4, alors qu'un transistor PMOS P3 devient conducteur et que le transistor PMOS P4 est arrêté par l'envoi de la tension VBUS à la borne de gâchette G2. Le courant de fuite inutile n'est pas envoyé par le BUS terminal quelle que soit la tension appliquée VBUS et un niveau de tension correct peut être maintenu. |
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Bibliography: | Application Number: WO2003JP06714 |