GAPFILL PROCESS USING A COMBINATION OF SPIN-ON-GLASS DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION TECHNIQUES

A method of filling a plurality of trenches etched in a substrate. In one embodiment the method includes depositing a layer of spin-on glass material over the substrate and into the plurality of trenches; exposing the layer of spin-on glass material to a solvent; curing the layer of spin-on glass ma...

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Main Authors ZHAO, JUN, ROBERTS, RICK, J, COX, MICHAEL, S, CUI, ZHENJIANG
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 25.11.2004
Edition7
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A method of filling a plurality of trenches etched in a substrate. In one embodiment the method includes depositing a layer of spin-on glass material over the substrate and into the plurality of trenches; exposing the layer of spin-on glass material to a solvent; curing the layer of spin-on glass material; and depositing a layer of silica glass over the cured spin-on glass layer using a chemical vapor deposition technique. L'invention concerne un procédé de remplissage d'une pluralité de tranchées gravées dans un substrat. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à déposer une couche de matériau en verre déposé par rotation sur le substrat et dans la pluralité de tranchées ; à exposer la couche de matériau en verre déposé par rotation à un solvant ; à durcir la couche de matériau en verre déposé par rotation ; et à déposer une couche de verre de silice sur la couche de verre déposé par rotation durcie au moyen d'une technique de dépôt chimique en phase vapeur.
Bibliography:Application Number: WO2004US02850