III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

• Main Authors: HIROTA, RYU, UEMATSU, KOJI, NAKAHATA, SEIJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 18.11.2004
• Edition: 7
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A method for producing a III-V compound crystal, characterized in that it comprises a first step of depositing a metal film (2) on a substrate (1), a second step of subjecting the metal film (2) to a heat treatment in an atmosphere containing a compound capable of patterning the metal film, and a step of growing a III-V compound crystal (4) on the metal film (2) after the heat treatment, or in that it comprises the above first and second steps, a step of growing a III-V compound buffer film on the metal film after the heat treatment, and a step of growing a III-V compound crystal on the III-V compound buffer film. The above method allows the production of a good III-V compound crystal using various substrates with the occurrence of no cracks with ease and simplicity at a low cost. La présente invention a trait à un procédé de production d'un cristal composé d'éléments III-V, caractérisé en ce qu'il comprend une première étape de dépôt d'un film métallique (2) sur un substrat (1), une deuxième étape d'application d'un traitement thermique sur le film métallique (2) sous une atmosphère contenant un composé capable de réaliser un tracé sur le film métallique, et une étape de croissance d'un cristal composé d'éléments III-V (4) sur le film métallique (2) après le traitement thermique, ou en ce qu'il comprend lesdites première et deuxième étapes, une étape de croissance d'un film tampon de composé d'éléments III-V sur le film métallique suite au traitement thermique, et une étape de croissance de cristal composé d'éléments III-V sur le film tampon de composé d'éléments III-V. Le procédé de l'invention permet la production aisée, simple et économique d'un bon cristal composé d'éléments III-V utilisant divers substrats et ne produisant aucune fissure.