A method of fabricating substrateless thin film field-effect devices and an organic thin film transistor obtainable by the method

• Main Authors: MAMELI, FULVIA, SANNA, ORNELLA, BONFIGLIO, ANNALISA
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.09.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method for the manufacture of a thin-film field-effect device comprising, on a mechanical support layer, source and drain electrodes (S, D), a layer of semiconductor material (SC) for the formation of a conduction channel, and a gate electrode (G) insulated from the channel region, is described. The method provides for the use of a mechanical support layer in the form of a film (INS) of flexible, electrically­insulating material; for the formation of the source and drain electrodes (S, D) in accordance with a predetermined configuration on a first surface of the insulating film; and for the formation of the gate electrode (G) on the opposite surface of the insulating film (INS) in accordance with a predetermined configuration complementary with the configuration of the source and drain electrodes (S, D), that configuration being achieved by a lithographic technique by selective masking determined by the source and drain electrodes (S, D) which are formed on the first surface of the film (INS). (Figure 2) L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un dispositif à effet de champ à couche mince comprenant les éléments suivants : sur une couche de support mécanique, des électrodes de source et de drain (S, D), une couche de matériau semiconducteur (SC) pour la réalisation d'un canal conducteur, et une électrode de grille (G) isolée de la zone du canal. Le procédé porte en outre sur l'utilisation d'une couche de support mécanique sous la forme d'un film (INS) fait d'un matériau souple, isolé électriquement. Le procédé porte également sur la réalisation des électrodes de source et de drain (S, D) conformément à une configuration prédéterminée sur une première surface du film isolant ; et la réalisation de l'électrode de grille (G) sur la surface opposée du film isolant (INS) conformément à une configuration prédéterminée complémentaire à la configuration des électrodes de source et de drain (S, D), cette configuration étant obtenue au moyen d'un procédé lithographique par masquage sélectif déterminé par les électrodes de source et de drain (S, D), qui sont réalisés sur la première surface du film (INS).