BIPOLAR TRANSISTOR AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

• Main Authors: KANZAWA, YOSHIHIKO, ASAI, AKIRA, IWANAGA, JUNKO, TAKAGI, TAKESHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 02.09.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

As shown in Figure 1, an SiGe-HBT (100) is fabricated on an Si semiconductor substrate (1). An n-type collector layer (2) of an Si semiconductor and trench isolation regions (9a, 9b) are provided in the upper part of the Si semiconductor substrate (1). In a region (Ra) over the Si semiconductor substrate (1), a p-type base layer (3) of an SiGe semiconductor on an n-type collector layer (2), an n-type emitter layer (4) of an SiGe semiconductor, an n-type emitter layer (5) of an Si semiconductor, and an external base layer (10) adjacent to the p-type base layer (3) are provided. Particularly, the uppermost part of the p-type base layer (3) and the n-type emitter layer (4) are short-lifetime regions (11) where the lifetime of the carriers are shorter than that in the n-type collector layer (2). Un SiGe-HTB (100) est fabriqué sur un substrat à semi-conducteur Si (1). Une couche collecteur de type n (2) d'un semi-conducteur Si et des zones de caisson d'isolation (9a, 9b) sont disposées dans la partie supérieure du substrat à semi-conducteur Si (1). Dans une zone (Ra) recouvrant le substrat à semi-conducteur Si (1), sont disposées une couche de base de type p (3) d'un semi-conducteur SiGe d'une couche collecteur de type n (2), une couche émettrice de type n (4) d'un semi-conducteur SiGe, une couche émettrice de type n(5) d'un semi-conducteur Si, et une couche de base externe (10) située contre la couche de base de type p (3). Plus particulièrement, la partie supérieure de la couche de base de type p (3) et la couche émettrice de type n (4) sont des zones de courte durée de vie (11), la durée de vie des porteuses étant plus courte que celle de la couche collecteur de type n (2).