METHOD FOR THE EPITAXIAL DEPOSITION OF LAYERS

• Main Authors: WILBERTZ, CHRISTOPH, MUELLER, KARLHEINZ, LANGGUTH, GERNOT, WILLE, HOLGER
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 29.07.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die Erfindung, die ein Verfahren zur epitaktischen Abscheidung von Schichten betrifft, bei dem eine niedrigdotierte Epitaxieschicht auf hochdotierte Bereiche, die in einem Siliziumsubstrat eingebracht sind, aufgebracht wird, liegt die Aufgabe zugrunde, die Funktionsfähigkeit der herzustellenden Bauelemente zu gewährleisten und ein Autodoping wirkungsvoll zu unterdrücken. Dies wird dadurch gelöst, dass vor Aufbringen der Epitaxieschicht auf die hochdotierten Bereiche eine hochohmige Siliziumschicht aufgebracht wird, wobei die anderen Gebiete entweder abgedeckt oder die hochohmige Schicht über den anderen Gebieten lokal entfernt wird. Anschliessend wird über den hochdotierten Bereichen auf die hochohmige Siliziumschicht und ausserhalb der hochdotierten Bereiche auf das Siliziumsubstrat die Epitaxieschicht abgeschieden. Durch die hochohmige Siliziumschicht wird ein Autodoping der Epitaxieschicht wirkungsvoll unterdrückt. Disclosed is a method for the epitaxial deposition of layers, according to which a low-doped epitaxial layer is applied to highly doped areas that are incorporated into a silicon substrate. The aim of the invention is to ensure functionality of the components that are to be produced while effectively preventing autodoping. Said aim is achieved by applying a high-resistance silicon layer to the highly doped areas before the epitaxial layer is applied, the other areas being covered or the high-resistance layer being locally removed from the other areas. The epitaxial layer is then deposited onto the high-resistance silicon layer located above the highly doped areas and onto the silicon layer located outside the highly doped areas. Autodoping of the epitaxial layer is effectively prevented by the high-resistance silicon layer. L'invention concerne un procédé de dépôt de couches par épitaxie en phase vapeur, selon lequel une couche épitaxiale faiblement dopée est appliquée sur des zones fortement dopées, introduites dans un substrat silicium. L'invention vise à garantir la fonctionnalité des composants à produire et à éliminer en toute efficacité un autodopage. A cet effet, il est prévu d'apposer une couche de silicium à valeur ohmique élevée, avant d'appliquer la couche épitaxiale, les autres domaines étant recouverts ou la couche à valeur ohmique élevée étant éliminée localement au niveau d'autres domaines. Pour finir, la couche épitaxiale est déposée au niveau des zones fortement dopées, sur la couche de silicium et en dehors des zones fortement dopées, sur le substrat silicium. La couche de silicium permet d'éviter en toute efficacité un autodopage de la couche épitaxiale.