SHALLOW TRENCH ISOLATION IN FLOATING GATE DEVICES

The present invention provides a method for manufacturing a floating gate type semiconductor device on a substrate having a surface (2), and a device thus manufactured.The method comprises: - forming, on the substrate surface, a stack comprising an insulating film (4), a first layer of floating gate...

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Main Authors VAN SCHAIJK, ROBERTUS, T., F, VAN DUUREN, MICHIEL, J
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 26.08.2004
Edition7
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Summary:The present invention provides a method for manufacturing a floating gate type semiconductor device on a substrate having a surface (2), and a device thus manufactured.The method comprises: - forming, on the substrate surface, a stack comprising an insulating film (4), a first layer of floating gate material (6) and a layer of sacrificial material (8), - forming at least one isolation zone (18) through the stack and into the substrate (2), the first layer of floating gate material (6) thereby having a top surface and side walls (26), - removing the sacrificial material (8), thus leaving a cavity (20) defined by the isolation zones (18) and the top surface of the first layer of floating gate material (6), and filling the cavity (20) with a second layer of floating gate material (22), the first layer of floating gate material (6) and the second layer of floating gate material (22) thus forming together a floating-gate (24). La présente invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur du type à grille flottante sur un substrat présentant une surface (2), ainsi qu'un dispositif ainsi produit. Le procédé consiste à former, sur la surface du substrat, une pile comprenant une couche mince isolante (4), une première couche d'une matière (6) de grille flottante ainsi qu'une couche de matière sacrificielle (8), à former au moins une zone d'isolement (18) à travers la pile et jusque dans le substrat (2), la première couche de matière (6) de grille flottante ayant ainsi une surface supérieure et des parois latérales (26), à éliminer la matière sacrificielle (8), laissant ainsi une cavité (20) définie par les zones d'isolement (18) et la surface supérieure de la première couche de la matière (6) de grille flottante, et à remplir la cavité (20) avec une seconde couche de matière (22) de grille flottante, la première couche de la matière (6) de la grille flottante et la seconde couche de la matière (22) de grille flottante formant ainsi ensemble une grille flottante (24).
Bibliography:Application Number: WO2003IB04949