METHOD FOR PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer unteren ersten, einer mittleren zweiten und einer oberen dritten Maskenschicht (5, 7, 9) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats...
Saved in:
Main Authors | , , , , , , , |
---|---|
Format | Patent |
Language | English French German |
Published |
25.03.2004
|
Edition | 7 |
Subjects | |
Online Access | Get full text |
Cover
Loading…
Abstract | Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer unteren ersten, einer mittleren zweiten und einer oberen dritten Maskenschicht (5, 7, 9) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (1); Bilden mindestens eines ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9); Strukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Struk-turieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der mittleren zweiten Maskenschicht (7) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Vergrößern des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Bilden eines zweiten Fensters (13, 13a-b) in einem maskenlosen Prozessschritt; Umstrukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des zweiten Fensters (13, 13a-b); Strukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der strukturierten unteren dritten Maskenschicht (5); Umstrukturieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der mittleren zweite Maskenschicht (7); und Umstrukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der umstrukturierten unteren dritten Maskenschicht (5).
The invention relates to a method for production of a semiconductor structure, comprising the steps: preparation of a semiconductor substrate (1), generation of a lower first, a middle second and an upper third masking layer (5, 7, 9) on a surface of the semiconductor substrate (1), formation of at least one first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9), structuring the middle second masking layer (7) using the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the first window (11, 11a-h), structuring the lower first masking layer (5) using the first window (11, 11a-h) in the middle second masking layer (7) for the transfer of the first window (11, 11a-h), enlarging the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) to form a second window (13, 13a-b) in a maskless process step, restructuring the middle second masking layer (7) using the second window (13, 13a-b) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the second window (13, 13a-b), structuring the semiconductor substrate (1), using the structured lower third masking layer (5), restructuring the lower first masking layer (5) using the second window (13, 13a-b) in the middle second masking layer (7) and restructuring the semiconductor substrate (1) using the restructured lower third masking layer (5).
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure à semiconducteur consistant à préparer un substrat semiconducteur (1), à appliquer une première couche de masquage inférieure, une deuxième couche de masquage intermédiaire et une troisième couche de masquage supérieure (5, 7, 9) sur une surface du substrat semiconducteur (1), à former au moins une première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9), à structurer la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) au moyen de la première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour transférer cette première fenêtre (11, 11a-h), à structurer la première couche de masquage inférieure (5) au moyen de cette première fenêtre (11, 11a-h) dans la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) pour transférer cette première fenêtre (11, 11a-h), à élargir ladite première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour former une deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans une étape de processus sans masquage, à restructurer la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) au moyen de la deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour transférer cette deuxième fenêtre (13, 13a-b), à structurer le substrat semiconducteur (1) au moyen de la troisième couche de masquage inférieure structurée (5), à restructurer la première couche de masquage inférieure (5) au moyen de la deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) et à restructurer le substrat semiconducteur (1) au moyen de la troisième couche de masquage inférieure restructurée (5). |
---|---|
AbstractList | Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer unteren ersten, einer mittleren zweiten und einer oberen dritten Maskenschicht (5, 7, 9) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (1); Bilden mindestens eines ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9); Strukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Struk-turieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der mittleren zweiten Maskenschicht (7) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Vergrößern des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Bilden eines zweiten Fensters (13, 13a-b) in einem maskenlosen Prozessschritt; Umstrukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des zweiten Fensters (13, 13a-b); Strukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der strukturierten unteren dritten Maskenschicht (5); Umstrukturieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der mittleren zweite Maskenschicht (7); und Umstrukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der umstrukturierten unteren dritten Maskenschicht (5).
The invention relates to a method for production of a semiconductor structure, comprising the steps: preparation of a semiconductor substrate (1), generation of a lower first, a middle second and an upper third masking layer (5, 7, 9) on a surface of the semiconductor substrate (1), formation of at least one first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9), structuring the middle second masking layer (7) using the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the first window (11, 11a-h), structuring the lower first masking layer (5) using the first window (11, 11a-h) in the middle second masking layer (7) for the transfer of the first window (11, 11a-h), enlarging the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) to form a second window (13, 13a-b) in a maskless process step, restructuring the middle second masking layer (7) using the second window (13, 13a-b) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the second window (13, 13a-b), structuring the semiconductor substrate (1), using the structured lower third masking layer (5), restructuring the lower first masking layer (5) using the second window (13, 13a-b) in the middle second masking layer (7) and restructuring the semiconductor substrate (1) using the restructured lower third masking layer (5).
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure à semiconducteur consistant à préparer un substrat semiconducteur (1), à appliquer une première couche de masquage inférieure, une deuxième couche de masquage intermédiaire et une troisième couche de masquage supérieure (5, 7, 9) sur une surface du substrat semiconducteur (1), à former au moins une première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9), à structurer la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) au moyen de la première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour transférer cette première fenêtre (11, 11a-h), à structurer la première couche de masquage inférieure (5) au moyen de cette première fenêtre (11, 11a-h) dans la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) pour transférer cette première fenêtre (11, 11a-h), à élargir ladite première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour former une deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans une étape de processus sans masquage, à restructurer la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) au moyen de la deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour transférer cette deuxième fenêtre (13, 13a-b), à structurer le substrat semiconducteur (1) au moyen de la troisième couche de masquage inférieure structurée (5), à restructurer la première couche de masquage inférieure (5) au moyen de la deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) et à restructurer le substrat semiconducteur (1) au moyen de la troisième couche de masquage inférieure restructurée (5). |
Author | MACHILL, STEFAN WEGE, STEPHAN GENZ, OLIVER KIRCHHOFF, MARKUS STEGEMANN, MAIK SCHMIDT, BARBARA REB, ALEXANDER STAVREV, MOMTCHIL |
Author_xml | – fullname: GENZ, OLIVER – fullname: STEGEMANN, MAIK – fullname: WEGE, STEPHAN – fullname: SCHMIDT, BARBARA – fullname: REB, ALEXANDER – fullname: MACHILL, STEFAN – fullname: KIRCHHOFF, MARKUS – fullname: STAVREV, MOMTCHIL |
BookMark | eNrjYmDJy89L5WQw8nUN8fB3UXDzD1IICPJ3CXUO8fT3U_B3U3BUCHb19XT29wOJAWWDQ4KAjNAgVx4G1rTEnOJUXijNzaDs5hri7KGbWpAfn1pckJicmpdaEh_ub2RgYGJgZGpuaOJoZEycKgAq_imw |
ContentType | Patent |
DBID | EVB |
DatabaseName | esp@cenet |
DatabaseTitleList | |
Database_xml | – sequence: 1 dbid: EVB name: esp@cenet url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP sourceTypes: Open Access Repository |
DeliveryMethod | fulltext_linktorsrc |
Discipline | Medicine Chemistry Sciences |
DocumentTitleAlternate | HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE HALBLEITERSTRUKTUR PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE A SEMICONDUCTEUR |
Edition | 7 |
ExternalDocumentID | WO2004025714A2 |
GroupedDBID | EVB |
ID | FETCH-epo_espacenet_WO2004025714A23 |
IEDL.DBID | EVB |
IngestDate | Fri Aug 02 08:55:53 EDT 2024 |
IsOpenAccess | true |
IsPeerReviewed | false |
IsScholarly | false |
Language | English French German |
LinkModel | DirectLink |
MergedId | FETCHMERGED-epo_espacenet_WO2004025714A23 |
Notes | Application Number: WO2003EP09551 |
OpenAccessLink | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20040325&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2004025714A2 |
ParticipantIDs | epo_espacenet_WO2004025714A2 |
PublicationCentury | 2000 |
PublicationDate | 20040325 |
PublicationDateYYYYMMDD | 2004-03-25 |
PublicationDate_xml | – month: 03 year: 2004 text: 20040325 day: 25 |
PublicationDecade | 2000 |
PublicationYear | 2004 |
RelatedCompanies | MACHILL, STEFAN WEGE, STEPHAN GENZ, OLIVER KIRCHHOFF, MARKUS STEGEMANN, MAIK SCHMIDT, BARBARA REB, ALEXANDER INFINEON TECHNOLOGIES AG STAVREV, MOMTCHIL |
RelatedCompanies_xml | – name: KIRCHHOFF, MARKUS – name: GENZ, OLIVER – name: REB, ALEXANDER – name: STAVREV, MOMTCHIL – name: STEGEMANN, MAIK – name: INFINEON TECHNOLOGIES AG – name: SCHMIDT, BARBARA – name: MACHILL, STEFAN – name: WEGE, STEPHAN |
Score | 2.5749452 |
Snippet | Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1);... |
SourceID | epo |
SourceType | Open Access Repository |
SubjectTerms | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
Title | METHOD FOR PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE |
URI | https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20040325&DB=EPODOC&locale=&CC=WO&NR=2004025714A2 |
hasFullText | 1 |
inHoldings | 1 |
isFullTextHit | |
isPrint | |
link | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV3dS8MwED_GFPVNp-LHlILSt2Lt5_owZOsHRWhTulb3Npo2BUG64Sr--16yVfe0t5CDS3Lk7vJL7i4Aj1RlpsNsno1TM8WwrArtoKMqtGK0EFvI4fnOUWyFufE6N-c9-OxyYUSd0B9RHBE1qkR9b4W9Xv1fYnkitnL9RD-wa_kSZGNP7tCxoeqaKXvTsZ8Qj7iy6yJuk-N0Q8Pt-WxM0GAf8IM0r7Tvv015Xspq16kEp3CYIL-mPYNexQZw7HZ_rw3gKNo-eWNzq33rc9AiPwuJJyFwk5KUeLkIAJFIIE2kGZcniXkfUmdZio089S_gIfAzN1Rw8MXfWhfvZHem-iX0m2XDrkAqVbsoKwePDwiBaD0a1QbHDo7GbL2gmnoNw32cbvaTb-FkE5KiK5o5hH779c3u0Nu29F4I6RduGn0r |
link.rule.ids | 230,309,786,891,25594,76903 |
linkProvider | European Patent Office |
linkToHtml | http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1LS8NAEB5KFetNq-KjakDJLRjzbA5F2jyI2mRDmmpvJZtsQJC02Ih_38m20Z56W3Zg9sHM7H678-0C3FOZ6RYzazZOwSTNMHKMg5Ys0ZzRlJuQVfOdg9Dwp9rLTJ-14LPhwvB3Qn_444joURn6e8Xj9fL_EMvhuZWrB_qBVYsnLxk4YoOONVlVdNEZDdyIOMQWbRtxmxjGaxma56M2xIC9ZyIo5GDpbVTzUpbbi4p3BPsR6iurY2jlrAsdu_l7rQsHwebKG4sb71udgBK4iU8cAYGbEMXEmfIEEIF4wlCY1PNJwroOpZMkxsI0dk_hznMT25ew8fnfWOfvZLun6hm0y0XJzkHIZDPNcgu3DwiBaNHvF1qNHSyFmWpKFfkCers0Xe4W30LHT4LxfPwcvl7B4To9RZUUvQft6uubXePKW9EbPmG_bVSAFQ |
openUrl | ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=METHOD+FOR+PRODUCTION+OF+A+SEMICONDUCTOR+STRUCTURE&rft.inventor=GENZ%2C+OLIVER&rft.inventor=STEGEMANN%2C+MAIK&rft.inventor=WEGE%2C+STEPHAN&rft.inventor=SCHMIDT%2C+BARBARA&rft.inventor=REB%2C+ALEXANDER&rft.inventor=MACHILL%2C+STEFAN&rft.inventor=KIRCHHOFF%2C+MARKUS&rft.inventor=STAVREV%2C+MOMTCHIL&rft.date=2004-03-25&rft.externalDBID=A2&rft.externalDocID=WO2004025714A2 |