METHOD FOR PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

• Main Authors: GENZ, OLIVER, STEGEMANN, MAIK, WEGE, STEPHAN, SCHMIDT, BARBARA, REB, ALEXANDER, MACHILL, STEFAN, KIRCHHOFF, MARKUS, STAVREV, MOMTCHIL
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 25.03.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer unteren ersten, einer mittleren zweiten und einer oberen dritten Maskenschicht (5, 7, 9) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (1); Bilden mindestens eines ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9); Strukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Struk-turieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der mittleren zweiten Maskenschicht (7) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Vergrößern des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Bilden eines zweiten Fensters (13, 13a-b) in einem maskenlosen Prozessschritt; Umstrukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des zweiten Fensters (13, 13a-b); Strukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der strukturierten unteren dritten Maskenschicht (5); Umstrukturieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der mittleren zweite Maskenschicht (7); und Umstrukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der umstrukturierten unteren dritten Maskenschicht (5). The invention relates to a method for production of a semiconductor structure, comprising the steps: preparation of a semiconductor substrate (1), generation of a lower first, a middle second and an upper third masking layer (5, 7, 9) on a surface of the semiconductor substrate (1), formation of at least one first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9), structuring the middle second masking layer (7) using the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the first window (11, 11a-h), structuring the lower first masking layer (5) using the first window (11, 11a-h) in the middle second masking layer (7) for the transfer of the first window (11, 11a-h), enlarging the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) to form a second window (13, 13a-b) in a maskless process step, restructuring the middle second masking layer (7) using the second window (13, 13a-b) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the second window (13, 13a-b), structuring the semiconductor substrate (1), using the structured lower third masking layer (5), restructuring the lower first masking layer (5) using the second window (13, 13a-b) in the middle second masking layer (7) and restructuring the semiconductor substrate (1) using the restructured lower third masking layer (5). La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure à semiconducteur consistant à préparer un substrat semiconducteur (1), à appliquer une première couche de masquage inférieure, une deuxième couche de masquage intermédiaire et une troisième couche de masquage supérieure (5, 7, 9) sur une surface du substrat semiconducteur (1), à former au moins une première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9), à structurer la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) au moyen de la première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour transférer cette première fenêtre (11, 11a-h), à structurer la première couche de masquage inférieure (5) au moyen de cette première fenêtre (11, 11a-h) dans la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) pour transférer cette première fenêtre (11, 11a-h), à élargir ladite première fenêtre (11, 11a-h) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour former une deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans une étape de processus sans masquage, à restructurer la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) au moyen de la deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans la troisième couche de masquage supérieure (9) pour transférer cette deuxième fenêtre (13, 13a-b), à structurer le substrat semiconducteur (1) au moyen de la troisième couche de masquage inférieure structurée (5), à restructurer la première couche de masquage inférieure (5) au moyen de la deuxième fenêtre (13, 13a-b) dans la deuxième couche de masquage intermédiaire (7) et à restructurer le substrat semiconducteur (1) au moyen de la troisième couche de masquage inférieure restructurée (5).