METHOD FOR ENDPOINT DETECTION DURING ETCH
A method is presented to increase, by means of dummy via or contact structures, the open areas to 5 % or more of the total wafer area in a semiconductor manufacturing process, e.g., contact/via etch processes for interconnect layers. An open area of 5 % or more allows robust endpoint detection using...
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Main Authors | , |
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
11.03.2004
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Edition | 7 |
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Summary: | A method is presented to increase, by means of dummy via or contact structures, the open areas to 5 % or more of the total wafer area in a semiconductor manufacturing process, e.g., contact/via etch processes for interconnect layers. An open area of 5 % or more allows robust endpoint detection using optical emission from the plasma, or electrical signals from the RF system. An end-pointed via/contact etch process overcomes the problems encountered due to the effects of aspect-ratio dependent etching, etch rate differences between tools, etch rate fluctuations over time, and deviations of mean incoming film thickness. With end-pointed etching, only the sources of non-uniformity over the wafer have to be considered during etch, which reduces the amount of over-etch built into a conventional via/contact etch process. The dummy structures may be redundant (functional) structures or "true" dummy (non-functional) structures. The dummy structures have the same size as functional structures.
L'invention concerne un procédé permettant d'augmenter, au moyen de trous d'interconnexion ou de structures de contact factices, les zones découvertes d'au moins 5 % par rapport à la surface totale de la plaquette dans un procédé de fabrication de semi-conducteurs, tels que des procédés de gravure de contacts ou de trous d'interconnexion servant à relier les couches. Une zone découverte d'au moins 5 % permet d'effectuer une détection de manière robuste par pointe optique, par émission optique du plasma ou par signaux électriques du système RF. Un procédé de gravure de trous d'interconnexion ou de contacts par pointe optique permet de remédier aux problèmes rencontrés, dus aux effets de la gravure dépendant du facteur de forme, aux différences de vitesse de gravure entre les outils, aux fluctuations de la vitesse de gravure dans le temps et aux déviations dans l'épaisseur moyenne du film entrant. La gravure par pointe optique permet de ne prendre en compte que les sources de non uniformité sur la plaquette durant la gravure, ce qui réduit les excédents de gravure dans un procédé de gravure de trous d'interconnexion ou de contacts classique. Les structures factices peuvent être des structures (fonctionnelles) redondantes ou des structures (non fonctionnelles) factices </= VRAIES >/= . Les structures factices ont les mêmes dimensions que les structures fonctionnelles. |
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Bibliography: | Application Number: WO2003US22695 |