DUAL DAMASCENE TRENCH DEPTH MONITORING

Disclosed are methods of dual damascene processing, involving forming a plurality of via openings in the insulation structure containing a single layer of a dielectric material; and simultaneously (i) forming a plurality of trenches in the insulation structure, each trench positioned along the subst...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors SUBRAMANIAN, RAMKUMAR, LYONS, CHRISTOPHER, F
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 12.02.2004
Edition7
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Online AccessGet full text

Cover

More Information
Summary:Disclosed are methods of dual damascene processing, involving forming a plurality of via openings in the insulation structure containing a single layer of a dielectric material; and simultaneously (i) forming a plurality of trenches in the insulation structure, each trench positioned along the substantially straight line of a group of via openings, and (ii) monitoring the formation of trenches using a scatterometry system to determine trench depth, and terminating forming the trenches when a desired trench depth is attained. L'invention concerne des procédés de traitement de damasquinage double impliquant la formation d'une pluralité d'ouvertures d'interconnexion dans la structure d'isolation contenant une seule couche de matière diélectrique ; et (i) la formation simultanée d'une pluralité de tranchées dans la structure d'isolation, chaque tranchée étant placée le long de la ligne sensiblement droite d'un groupe d'ouvertures d'interconnexion, et (ii) la surveillance de la formation des tranchées à l'aide d'un système de diffusiométrie afin de déterminer la profondeur de la tranchée, et la finition de la formation des tranchées lorsque l'on a atteint la profondeur de tranchée souhaitée.
Bibliography:Application Number: WO2003US21108