BATCH FURNACE

• Main Authors: FUKADA, TAKASHI, YOO, WOO, SIK
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 12.02.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A system and method for isothermally distributing a temperature across a semiconductor device. A furnace assembly is provided, which includes a processing tube configured to removably receive a wafer carrier having a full compliment of semiconductor wafers. A heating assembly is provided which can include a heating element positioned to heat air or other gases allowed to enter the process tube. The furnace assembly and process tube are capable of being vertically raised and lowered into a position enclosing the heating assembly within the process tube. Once the heating assembly forms a seal with the process tube, the process tube is exhausted and purged of air. Gas is then allowed to flow into the process tube and exchange heat with the heating element. The heated gas circulates through the process tube to convectively change the temperature of the wafers. La présente invention concerne un système et un procédé qui permettent une répartition isotherme de la température dans un dispositif à semi-conducteur. L'invention a pour objet un système de four qui comprend un tube de traitement conçu pour recevoir temporairement un support de tranches de semi-conducteur comprenant un lot complet de tranches de semi-conducteur. L'invention fait intervenir un système de chauffage qui peut comprendre un élément chauffant conçu pour chauffer de l'air ou d'autres gaz qui est/sont introduit(s) dans le tube de traitement. Le système de four et le tube de traitement peuvent être élevés verticalement et abaissés dans une position dans laquelle le tube de traitement renferme le système de chauffage. Lorsqu'une liaison hermétique est formée entre le système de chauffage et le tube de traitement, le tube de traitement est évidé et l'air est évacué. On introduit alors dans le tube de traitement du gaz qui le parcourt et échange de la chaleur avec l'élément chauffant. Le gaz chauffé circule à travers le tube de traitement et provoque un changement convectif de la température des tranches de semi-conducteur.