NIOBIUM POWDER, ANODE FOR SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR
Niobium powder for producing a capacitor of high capacity wherein not only leakage current but also increase of leakage current after thermal loading is reduced by increasing the thermal stability of niobium oxide coating in niobium capacitor. In particular, niobium powder comprising at least one se...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
15.01.2004
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Edition | 7 |
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Summary: | Niobium powder for producing a capacitor of high capacity wherein not only leakage current but also increase of leakage current after thermal loading is reduced by increasing the thermal stability of niobium oxide coating in niobium capacitor. In particular, niobium powder comprising at least one selected from among 0.002 to 20 mass% of molybdenum, 0.002 to 10 mass% of chromium and 0.002 to 20 mass% of tungsten and 0.005 to 0.10 mass% of hydrogen and having a specific surface area of 1 to 10 m /g. Preferably, 0.002 to 1 mass% of magnesium and/or 0.002 to 1 mass% of aluminum is contained therein, and the average diameter of secondary particles thereof is in the range of 10 to 200 mum.
L'invention concerne une poudre de niobium permettant de produire un condensateur de grande capacité dans lequel on réduit non seulement un courant de fuite mais également l'augmentation de ce courant de fuite après une charge thermique par augmentation de la stabilité thermique d'un revêtement d'oxyde de niobium dans un condensateur au niobium. La poudre de niobium comprend, en particulier, au moins un élément sélectionné dans le groupe constitué par 0,002 à 20 % en masse de molybdène, 0,002 à 1 % en masse de chrome, 0,002 à 20 % en masse de tungstène et 0,005 à 0,10 % en masse d'hydrogène, et une zone de surface spécifique de 1 à 10m g. Ladite poudre contient, de préférence, 0,002 à 1 % en masse de magnésium et/ou 0,002 à 1 % en masse d'aluminium, le diamètre moyen des particules secondaire de cette poudre se situant dans une plage comprise entre 10 et 200 mu m. |
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Bibliography: | Application Number: WO2003JP08602 |