SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

• Main Authors: KADOTA, MICHIO, ITO, YOSHIHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 24.12.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A semiconductor device exhibiting excellent crystallinity and good electrical characteristics and having a ZnO thin film exhibiting excellent surface smoothness, fabricated by forming ZnO based thin films (an n-type contact layer (6), an n-type clad layer (7), an active layer (8), a p-type lad layer (9), and a p-type contact layer (10)) principally comprising ZnO sequentially on the zinc polarity face (1a) of an ZnO substrate (1) by ECR sputtering, or the like, forming a transparent electrode (3) and a p-side electrode (4) on the surface of the p-type contact layer (10) by vacuum evaporation, or the like, and forming an n-side electrode (5) on the oxygen polarity face (1b) of the ZnO substrate (1). L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs présentant une excellente cristallinité et de bonnes caractéristiques électriques et possédant un film mince de ZnO à rugosité de surface excellente. On produit ce dispositif en formant des films minces à base de ZnO (une couche de contact de type n (6), une couche de revêtement de type n (7), une couche active (8), une couche de revêtement de type p (9) et une couche de contact de type p (10)) comprenant principalement ZnO séquentiellement sur la face de polarité de zinc (1a) d'un substrat de ZnO (1) par pulvérisation à résonance de cyclotron des électrons (ECR) ou analogue, en formant une électrode transparente (3) et une électrode latérale p (4) sur la surface de la couche de contact de type p (10) par évaporation sous vide ou analogue et en formant une électrode latérale n (5) sur la face de polarité de l'oxygène (1b) du substrat de ZnO (1).