PROCESS FOR MAKING AIR GAP CONTAINING SEMICONDUCTING DEVICES AND RESULTING SEMICONDUCTING DEVICE

• Main Authors: TOWNSEND, PAUL, H., III, FOSTER, KENNETH, L
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 16.10.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method of forming at least a partial air gap within a semiconducting device and the resulting devices, said method comprising the steps of: (a) depositing a sacrificial polymeric composition in one or more layers of the device during its formation; (b) coating the device with one or more layers of a relatively non-porous, organic, polymeric, insulating dielectric material (hardmask) having a density less than 2.2 g/cm ; and (c) decomposing the sacrificial polymeric composition such that the decomposition products permeate at least partially through the one or more hardmask layers, thereby forming at least a partial air gap within the device. L'invention concerne un procédé de formation d'au moins un entrefer partiel dans un dispositif à semiconducteur et les dispositifs résultants. Ledit procédé consiste à : (a) déposer une composition polymère sacrificielle dans une ou plusieurs couches du dispositif pendant sa/leur formation ; (b) enduire le dispositif d'une ou plusieurs couches d'un matériau diélectrique isolant, polymère, organique et relativement non poreux (masque dur) possédant une densité inférieure à 2,2 g/cm ; et (c) décomposer la composition polymère sacrificielle, de manière que les produits de décomposition pénètrent au moins partiellement dans la ou les couches de masque dur, et qu'un entrefer au moins partiel soit ainsi formé dans le dispositif.