A HIGH PERFORMANCE BIFET LOW NOISE AMPLIFIER

According to one exemplary embodiment, a circuit (302) comprises a bipolar transistor (304) having a base, an emitter, and a collector. For example, the bipolar transistor (304) can be an NPN SiGe HBT. The base of the bipolar transistor (304) is an input of the circuit (302). The emitter of the bipo...

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Main Authors MA, PINGXI, RACANELLI, MARCO
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 13.05.2004
Edition7
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Summary:According to one exemplary embodiment, a circuit (302) comprises a bipolar transistor (304) having a base, an emitter, and a collector. For example, the bipolar transistor (304) can be an NPN SiGe HBT. The base of the bipolar transistor (304) is an input of the circuit (302). The emitter of the bipolar transistor (304) is coupled to a first reference voltage (308). According to this exemplary embodiment, the circuit (302) further comprises a field effect transistor (306) having a gate, a source, and a drain. For example, the field effect transistor (306) may be an NFET. The collector of the bipolar transistor (304) is coupled to the source of the field effect transistor (306). The gate of the field effect transistor (306) is coupled to a bias voltage (320). The drain of the field effect transistor (306) is coupled to a second reference voltage (328). The drain of the field effect transistor (306) is an output of the circuit (302). Dans un mode de réalisation type, cette invention concerne un circuit (302) comprenant un transistor bipolaire avec base, émetteur et collecteur. Le transistor bipolaire (304) peut par exemple être un transistor NPN SiGe HBT (transistor bipolaire à hétérojonction). La base due transistor bipolaire (304) constitue une entrée du circuit (302). L'émetteur du transistor bipolaire (304) est couplé à une première tension de référence (308). Dans ce mode de réalisation, le circuit (302) comprend également un transistor à effet de champ (306) avec porte, source et drain. Ce transistor (306) peut être, par exemple, du type NFET. Le collecteur du transistor bipolaire (304) est relié à la source du transistor à effet de champ (306). La porte du transistor (306) est couplée à une tension de polarisation (320). Le drain de ce même transistor (306) est couplé à une seconde tension de référence (328) et constitue une sortie du circuit (302).
Bibliography:Application Number: WO2003US01373