Zn BASED SEMICONDUCTOR LUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF

• Main Author: ISHIZAKI, JUN-YA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.06.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A Zn based semiconductor luminescent element, which has a p-n junction interface (3) composed of an n-type ZnTe1-xOx (0.5 <= x <= 1) layer (8) and a p-type ZnTe1-xOx (0 <= x < 0.5) layer (7); a method for preparing the above Zn based semiconductor luminescent element, which comprises subjecting the primary surface side of a p-type ZnTe wafer to a thermal oxidation treatment, to thereby form a n-type ZnTeO layer (8) and/or a p-type ZnTeO layer (7). The Zn based semiconductor luminescent element allows the improvement of the luminous efficiency in a luminescent layer comprising a Zn based semiconductor. L'invention concerne un élément luminescent semi-conducteur à base de Zn comprenant une interface de jonction p-n (3) constituée d'une couche de ZnTe1-xOx de type n (8) (0,5</=x</=1) et d'une couche de ZnTe1-xOx de type p (7) (0</=x</=0,5). L'invention concerne également le procédé de préparation de cet élément luminescent semi-conducteur à base de Zn, consistant à soumettre le côté de la surface primaire d'une plaquette de ZnTe de type p à un traitement d'oxydation thermique pour former une couche de ZnTeO de type n (8) et/ou une couche de ZnTeO de type p (7). L'élément luminescent semi-conducteur à base de Zn permet d'améliorer le rendement lumineux d'une couche luminescente renfermant un semi-conducteur à base de Zn.