ETCH-STOP RESINS
Silicone resins comprising 5 to 50 mole% of (PhSiO3-x)/2(OH)x) units and 50 to 95 mole% (HSiO(3-x)/2(OH)x), where Ph is a phenyl group, x has a value of 0, 1 or 2 and wherein the cured silicone resin has a critical surface free energy of 30 dynes/cm or higher. These resins are useful as etch stop la...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
01.05.2003
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Edition | 7 |
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Summary: | Silicone resins comprising 5 to 50 mole% of (PhSiO3-x)/2(OH)x) units and 50 to 95 mole% (HSiO(3-x)/2(OH)x), where Ph is a phenyl group, x has a value of 0, 1 or 2 and wherein the cured silicone resin has a critical surface free energy of 30 dynes/cm or higher. These resins are useful as etch stop layers for organic dielectric materials having a critical surface free energy of 40 dynes/cm or higher.
L'invention concerne des résines de silicone présentant entre 5 et 50 % en moles d'unités de (PhSiO(3-x)/2(OH)x) et entre 50 et 95 % en moles d'unités de (HSiO(3-x)/2(OH)x), où Ph représente un groupe phényle, x possède une valeur comprise entre 0, 1 et 2 et où la résine de silicone durcie présente une énergie libre de surface critique égale à 30 dynes/cm minimum. Ces résines sont utilisées comme couches d'arrêt de gravure pour des matériaux diélectriques organiques présentant une énergie libre de surface critique égale à 40 dynes/cm minimum. |
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Bibliography: | Application Number: WO2002US31824 |