SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

• Main Authors: SAITO, YUKISHIGE, KOH, RISHO, RI, JYONU, TAKEMURA, HISASHI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 17.04.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device comprises a first insulation layer, a semiconductor layer formed over the first insulation layer, second insulation layer formed at a part of the semiconductor layer, and the gate electrode formed over the semiconductor layer via the second insulation layer. The semiconductor layer has a lightly doped region formed under the gate electrode via the second insulation layer, two heavily doped regions, and two source drain regions. The heavily doped region is formed under the gate region at least in the upper region of both sides of the lightly doped region via the second insulation layer and has an impurity region higher than the lightly doped region. The two source drain regions have lightly−doped region side end and are formed on both sides of the heavily doped region and has a width of 30nm or less. A semiconductor device comprises a first insulation layer, a semiconductor layer formed over the first insulation layer, second insulation layer formed at a part of the semiconductor layer, and the gate electrode formed over the semiconductor layer via the second insulation layer. The semiconductor layer has a lightly doped region formed under the gate electrode via the second insulation layer, two heavily doped regions, and two source/drain regions. The heavily doped region is formed under the gate region at least in the upper region of both sides of the lightly doped region via the second insulation layer and has an impurity region higher than the lightly doped region. The two source/drain regions have lightly-doped region side end and are formed on both sides of the heavily doped region and has a width of 30nm or less. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur, qui comprend une première couche isolante, une couche semiconductrice formée sur la première couche isolante, une deuxième couche isolante formée sur une partie de la couche semiconductrice, et la gâchette formée sur la couche semiconductrice par la deuxième couche isolante. La couche semiconductrice comprend une région légèrement dopée formée sous la gâchette par la deuxième couche isolante, deux régions fortement dopées, et deux régions de source/drain. La région fortement dopée est formée sous la région de la gâchette, au moins dans la région supérieure des deux côtés de la région légèrement dopée, par la deuxième couche isolante, et comprend une région d'impureté plus élevée que la région légèrement dopée. Les deux régions de source/drain, qui comportent une extrémité latérale de la région légèrement dopée, sont formées sur les deux côtés de la région fortement dopée et présentent une largeur d'au plus 30 nm.