LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF

• Main Author: ISHIZAKI, JUN-YA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 10.04.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A light emitting element wherein a p type oxide layer (32b) which is of a different type from MgaZn1−aO type oxide and exhibits p type electroconductivity is inserted into a MgZnO layer which functions as an active layer or a p type cladding layer (32). The above structure, in which the function of absorbing and compensating for electrons is performed by the p type oxide layer, does not require a great amount of a p type dopant added thereto, resulting in the preparation of a p or i type MgaZn1−aO type oxide having good quality, which leads to the achievement of a light emitting element for a blue light or an ultra−violet ray exhibiting a high luminous efficiency. Further, a light emitting element, wherein at least one of a p type cladding layer or a n type cladding layer has a joined structure of a first crystal layer with a second crystal layer which is joined heterolytically with the first crystal layer opposite to an active layer and has a bandgap energy lower than that of the first crystal layer, allows the injection of a carrier into the active layer with good efficiency, which leads to the enhancement of luminous efficiency. A light emitting element wherein a p type oxide layer 32b which is of a different type from MgaZn1-aO type oxide and exhibits p type electroconductivity is inserted into a MgZnO layer which functions as an active layer or a p type cladding layer 32. The above structure, in which the function of absorbing and compensating for electrons is performed by the p type oxide layer, does not require a great amount of a p type dopant added thereto, resulting in the preparation of a p or i type MgaZn1-aO type oxide having good quality, which leads to the achievement of a light emitting element for a blue light or an ultra-violet ray exhibiting a high luminous efficiency. Further, a light emitting element, wherein at least one of a p type cladding layer or a n type cladding layer has a joined structure of a first crystal layer with a second crystal layer which is joined heterolytically with the first crystal layer opposite to an active layer and has a bandgap energy lower than that of the first crystal layer, allows the injection of a carrier into the active layer with good efficiency, which leads to the enhancement of luminous efficiency. L'invention concerne un élément émettant de la lumière, dans lequel une couche d'oxyde de type p (32b) différent de l'oxyde de type MgaZn1-aO et faisant preuve d'une électroconductivité de type p, est insérée dans une couche MgZnO qui joue le rôle de couche active ou de couche de placage de type p (32). Cette structure, dans laquelle la fonction d'absorption et de compensation d'électrons est effectuée par la couche d'oxyde de type p, ne nécessite pas l'ajout d'une grande quantité de dopant de type p, ce qui permet d'obtenir un oxyde de type MgaZn1-aO de type p ou i de bonne qualité, ainsi qu'un élément émettant de la lumière bleue ou un rayon ultraviolet faisant preuve d'une grande efficacité lumineuse. En outre, l'invention concerne un élément émettant de la lumière, dans lequel au moins une couche parmi une couche de placage de type p et une couche de placage de type n possède une structure jointe consistant en une première couche cristalline et une seconde couche cristalline jointe de façon hétérolytique à la première couche cristalline à l'opposé d'une couche active et possédant une énergie de largeur de bande interdite inférieure à celle de la première couche cristalline. Ceci permet l'injection d'un porteur dans la couche active avec une bonne efficacité, ce qui a pour conséquence l'amélioration de l'efficacité lumineuse.