ASSISTED RINSING IN A SINGLE WAFER CLEANING PROCESS

• Main Authors: TRUMAN, J., KELLY, VERHAVERBEKE, STEVEN
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 03.01.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLEANING; CLEANING IN GENERAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PERFORMING OPERATIONS; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

The present invention is a method of assisting the rinsing of a wafer in a single wafer cleaning apparatus. According to the present invention, after exposing a wafer to a cleaning and/or etching solution, the cleaning or etching solution is removed from the wafer by spinning the wafer and dispensing or spraying DI water onto the wafer as it is spun. The centrifugal force of the spinning wafer enhances the rinsing of the wafer. In order to enhance the rinsing of the wafer, in an embodiment of the present invention a solution having a lower surface tension than water, such as but not limited to isopropyl alcohol (IPA) is dispensed in liquid or vapor form onto the wafer after the DI water. In a specific embodiment of the present invention, the vapor of a solution with a lower surface tension than DI water, such as IPA vapor, is blown on the wafer in order to break up the DI water bulging up at the center of the spinning wafer. In another embodiment of the present invention, a gas such N2, is blown for a short period of time onto the center of the wafer to break up the DI water bulging up at the center of the spinning wafer. In yet another embodiment of the present invention, acoustic or sonic waves are applied to the wafer as it spins in order to help diffuse the DI water from the wafer. And in still yet another embodiment of the present invention, the DI water which is dispensed onto the spinning wafer is heated to a temperature above room temperature and preferably between 60-70 DEG C to enhance the diffusion of water from the wafer. The low surface tension liquid, acoustic application, gas blowing, and heated DI water can be used alone or in combination with one another into enhance the rinsing of a wafer and thereby decrease the rinsing time of a single wafer process to less than 20 seconds. L'invention concerne un procédé facilitant le rinçage d'une tranche dans un appareil de nettoyage de tranche unique. Après exposition d'une tranche à une solution de rinçage et/ou de gravure, ledit procédé consiste à extraire la solution de la tranche par rotation de cette tranche et par dispersion ou pulvérisation d'eau déionisée (DI) sur ladite tranche à mesure que celle-ci est entraînée en rotation. La force centrifuge de la tranche en rotation permet d'améliorer son rinçage. Dans un premier mode de réalisation, pour améliorer le rinçage d'une tranche, on dispense une solution dont la tension de surface est plus faible que celle de l'eau, notamment un alcool d'isopropyle (IPA) sous forme liquide ou vapeur, sur la tranche après la dispersion ou pulvérisation de l'eau déionisée. Dans un deuxième mode de réalisation spécifique, la vapeur d'une solution dont la tension de surface est plus faible que celle de l'eau déionisée, notamment la vapeur IPA, est soufflée sur la tranche afin de disperser l'eau déionisée formant des renflements au niveau du centre de ladite tranche en rotation. Dans un troisième mode de réalisation, un gaz tel que N2 est soufflé pendant une courte durée sur le centre de la tranche également pour disperser l'eau déionisée formant des renflements au niveau du centre de ladite tranche en rotation. Dans un quatrième mode de réalisation, des ondes acoustiques ou soniques sont appliquées à la tranche pendant sa rotation afin de faciliter la diffusion de l'eau à partir de ladite tranche. Dans un dernier mode de réalisation, l'eau déionisée dispensée sur la tranche en rotation est chauffée à une température au-dessus de la température ambiante et, de préférence entre 60-70 DEG C, pour améliorer la diffusion de l'eau à partir de ladite tranche. On peut utiliser un liquide à faible tension de surface, une application acoustique, le soufflage d'un gaz, et de l'eau déionisée chauffée, indépendamment ou en association, pour améliorer le rinçage d'une tranche, ce qui permet de réduire la durée de rinçage à moins de 20 secondes dans un procédé de nettoyage de tranche unique.