IONIZED METAL PLASMA DEPOSITION PROCESS HAVING ENHANCED VIA SIDEWALL COVERAGE

• Main Authors: KLATT, JEFFREY, NORASETTHEKUL, SOMCHINTANA
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 13.06.2002
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method for depositing an adhesion layer in a contact region (240) on a semiconductor substrate (200) provides for sufficient coverage on the bottom and sidewalls of the contact region. In an example embodiment, a contact region having a bottom and sidewalls has a first coat (250a) of the adhesion layer (260) deposited thereon at a thickness greater than the thickness on the sidewall. To compensate for the narrower adhesion layer thickness on the sidewalls, a second coat (250b) of the adhesion layer is deposited so that the second coat on the sidewalls is at a thickness greater than the second coat thickness on the bottom. The adhesion layer is titanium nitride although other materials may be used as well. A method for depositing an adhesion layer in a contact region on a semiconductor substrate provides for sufficient coverage on the bottom and sidewalls of the contact region. In an example embodiment, a contact region having a bottom and sidewalls has a first coat of the adhesion layer deposited thereon at a thickness greater than the thickness on the sidewall. To compensate for the narrower adhesion layer thickness on the sidewalls, a second coat of the adhesion layer is deposited so that the second coat on the sidewalls is at a thickness greater than the second coat thickness on the bottom. The adhesion layer is titanium nitride although other materials may be used as well. L'invention concerne un procédé de dépôt d'une couche d'adhésion sur une zone de contact d'un substrat semiconducteur, fournissant une couverture suffisante sur la partie inférieure et les parois latérales de la zone de contact. Dans un mode de réalisation exemplaire, une zone de contact, présentant une partie inférieure et des parois latérales, comporte un premier revêtement de couche d'adhésion déposé sur cette zone de contact, sur une épaisseur plus importante que l'épaisseur déposée sur la paroi latérale. Pour compenser l'épaisseur plus fine de la couche d'adhésion sur les parois, un deuxième revêtement de couche d'adhésion est déposé, de sorte que ce deuxième revêtement sur les parois latérales présente une épaisseur plus importante que l'épaisseur du deuxième revêtement sur la partie inférieure. La couche d'adhésion est constituée de nitrure de titane, toutefois d'autres matériaux peuvent également être utilisés.