PROCESS FLOW FOR CAPACITANCE ENHANCEMENT IN A DRAM TRENCH

• Main Authors: KUDELKA, STEPHAN, TEWS, HELMUT, MCSTAY, IRENE, JAMMY, RAJARAO, SETTLEMYER, KENNETH, FALTERMEIER, JOHNATHAN, CHUDZIK, MICHAEL
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 15.05.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Methods forming a trench region of a trench capacitor structure having increase surface area are provided. One method includes the steps of forming a discontinuous polysilicon layer (43) on exposed walls of a lower trench region, the discontinuous polysilicon layer having gaps (44) therein which expose portions of said substrate; oxidizing the lower trench region such that the exposed portions of said substrate provided by the gaps in the discontinuous polysilicon layer are oxidized into oxide material which forms a smooth and wavy layer with the discontinuous polysilicon layer; and etching said oxide material so as to form smooth hemispherical grooves (46) on the walls of the trench region. L'invention concerne des procédés permettant de former une région de tranchée d'une structure de condensateur à tranchée présentant une surface étendue. L'un des procédés consiste à former une couche de polysilicium discontinue sur des parois apparentes d'une région de tranchée inférieure, cette couche de polysilicium discontinue comprenant des trous laissant apparaître des parties d'un substrat, à oxyder la région de tranchée inférieure de sorte que les parties du substrat laissées apparentes par les trous dans la couche de polysilicium discontinue s'oxydent en un matériau d'oxyde formant une couche lisse et ondulée avec la couche de polysilicium discontinue, puis à enlever par gravure ce matériau d'oxyde pour former des sillons hémisphériques lisses sur les parois de la région de tranchée.