CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF DIELECTRIC MATERIALS

• Main Authors: OLIVER, MICHAEL, R, COOK, LEE, MELBOURNE
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 23.01.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS; GRINDING; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; PERFORMING OPERATIONS; POLISHING; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

A semiconductor wafer (1) has, an underlying dielectric layer (3) with non-planarity features at its surface due to damascene topology, and a successive dielectric layer (9) that is without damascene topology overlying the first dielectric layer (3), the successive dielectric layer (9) having a smooth polished planar surface (10) that minimizes cumulative non-planarity. The surface is polished by chemical-mechanical planarization with a reactive liquid borne by an aqueous polishing fluid applied at an interface of the successive dielectric layer (3) and a polishing pad. L'invention concerne une tranche de semi-conducteur (1) possédant une couche diélectrique sous-jacente (3) présentant des caractéristiques de non planarité sur sa surface en raison d'une topologie damasquinée et une couche diélectrique successive (9) qui ne possède pas de topologie damasquinée recouvrant la première couche diélectrique (3). La couche diélectrique successive (9) possède une surface planaire polie et lisse (10) qui réduit au minimum la non planarité cumulée. La surface est polie grâce à une planarisation chimique et mécanique au moyen d'un liquide réactif porté par un fluide de polissage aqueux appliqué sur une interface de la couche diélectrique successive (3) et un élément de polissage.