ORGANOSILICATE RESINS AS HARDMASKS FOR ORGANIC POLYMER DIELECTRICS IN FABRICATION OF MICROELECTRONIC DEVICES

• Main Authors: HETZNER, JACK, E, TOWNSEND, PAUL, H., III, MILLS, LYNNE, K, GOMBAR-FETNER, SHEILA, SHAFFER, EDWARD, O., II, WILSON, LARRY, R, HOWARD, KEVIN, E, WAETERLOOS, JOOST, J., M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.12.2002
• Edition: 7
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOSITIONS BASED THEREON; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONSONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP

This invention is a method comprising providing a substrate, forming a first layer on the substrate, wherein the first layer has a dielectric constant of less than 3.0 and comprises an organic polymer, applying an organosilicate resin over the first layer, removing a portion of the organosilicate resin to expose a portion of the first layer, and removing the exposed portions of the first layer. The invention is also an integrated circuit article comprising an active substrate containing transistors and an electrical interconnect structure containing a pattern of metal lines separated, at least partially, by layers or regions of an organic polymeric material having a dielectric constant of less than 3.0 and further comprising a layer of an organosilicate resin above at least one layer of the organic polymer material. La présente invention concerne un procédé qui consiste à prendre un substrat, à former une première couche sur ce substrat, cette première couche possédant une constante diélectrique inférieure à 3,0 et comprenant un polymère organique, à appliquer une résine organosilicate sur cette première couche, à retirer une partie de cette résine organosilicate de façon à exposer une partie de la première couche, et à retirer les parties exposées de cette première couche. Cette invention concerne aussi un circuit intégré comprenant un substrat actif contenant des transistors et une structure d'interconnexion électrique contenant un schéma de tracés métalliques séparés, au moins partiellement, par des couches ou des régions d'un matériau polymère organique possédant une constante diélectrique inférieure à 3,0 et comprenant aussi une couche d'une résine organosilicate au dessus d'au moins une couche de ce matériau polymère organique.