SUPERCONDUCTING THIN FILM HAVING COLUMNAR PIN RETAINING CENTER USING NANO−DOTS

A superconducting thin film having a columnar pin retaining center using nano−dots, comprising three−dimension−shaped nano−dots (3) formed in an insular form on a substrate (2) and consisting of a material other than that of the substrate and a superconducting substance, columnar defects (4) grown o...

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Main Authors CRISAN, IOAN ADRIAN, IHARA, HIDEO DI
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 27.12.2002
Edition7
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Summary:A superconducting thin film having a columnar pin retaining center using nano−dots, comprising three−dimension−shaped nano−dots (3) formed in an insular form on a substrate (2) and consisting of a material other than that of the substrate and a superconducting substance, columnar defects (4) grown on the nano−dots (3) and consisting of a superconducting substance, lattice defects (6) formed in the columnar defects, and a superconducting thin film (5) formed on portions other than columnar defect portions of the substrate, wherein a substance other than a superconducting substance is deposited and aggregated with the temperature and film thickness of the substrate (2) controlled to form nano−dots (3), and a superconducting thin film (5) is grown and formed on the substrate (2). A superconducting thin film having a critical current density at least 10 times higher is implemented regardless of types of superconducting thin films and can be produced at lower costs, thereby providing a superconducting thin film suitably applied to such technical fields as cryoelectronics and microwave and being large in critical superconducting current density and critical superconducting magnetic field. L'invention concerne un film mince supraconducteur muni d'un centre de retenue de tige colonnaire utilisant des nanopoints, comprenant des nanopoints tridimensionnels (3) façonnés en forme insulaire sur un substrat (2) et consistant en une matière autre que celle du substrat, ainsi qu'une substance supraconductrice, des défauts colonnaires (4) formés sur les nanopoints (3) et consistant en une substance supraconductrice, des défauts (6) façonnés dans les défauts colonnaires, et un film mince supraconducteur (5) façonné sur des parties autres que les parties de défauts colonnaires du substrat. Une substance autre que la substance supraconductrice est déposée et agrégée à la température et à l'épaisseur du film du substrat (2) régulée de manière à former des nanopoints (3), et un film mince supraconducteur (5) est formé et façonné sur le substrat (2). Ce film mince supraconducteur possédant une densité de courant critique au moins dix fois supérieure est mis en oeuvre sans égard aux types de film mince supraconducteur et peut être produit à plus faible coût, permettant ainsi au film mince supraconducteur de s'adapter aux domaines techniques tels que la cryoélectronique et les micro-ondes, et de présenter une grande densité de courant supraconducteur et un champ magnétique supraconducteur critiques.
Bibliography:Application Number: WO2002JP06007