NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

A nitride semiconductor device having an improved light extracting efficiency and a high light output. On a substrate, there is formed a multilayer structure of a first−conductivity−type layer (11), an active layer (3) and a second conductivity−type layer (12). In this second−conductivity−type layer...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors NAGAHAMA, SHINICHI, YANAMOTO, TOMOYA
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 27.12.2002
Edition7
Subjects
Online AccessGet full text

Cover

Loading…
Abstract A nitride semiconductor device having an improved light extracting efficiency and a high light output. On a substrate, there is formed a multilayer structure of a first−conductivity−type layer (11), an active layer (3) and a second conductivity−type layer (12). In this second−conductivity−type layer (12) between a first nitride semiconductor layer (4) and an overlying second nitride semiconductor layer (6), there is sandwiched a third nitride semiconductor layer (5) of InAlGaN, which acts as a current constricting layer having an aperture (41). On the surface of the second−conductivity−type layer, there are partially formed an electrode (20) and a window (40) or a transparent film (30) provided in the window (40). As a result, much light can be extracted from the top face of the structure. L'invention concerne un appareil semi-conducteur nitrure possédant une meilleure efficacité d'extraction de lumière et une production de lumière élevée. Sur un substrat, une structure multicouches est formée avec une couche (11) d'un premier type de conductivité, une couche (3) active et une couche (12) d'un second type de conductivité. Dans cette couche (12) de second type de conductivité, entre une première couche (4) semi-conductrice nitrure et une seconde couche (6) semi-conductrice nitrure de couverture, on trouve entre les deux une troisième couche (5) semi-conductrice nitrure d'InAlGaN qui agit comme une couche de constriction de courant dotée d'une ouverture (41). Sur la surface de la couche (12) de second type de conductivité, on trouve, partiellement formés, une électrode (20) et une fenêtre (40) ou un film (30) transparent dans la fenêtre (40). En conséquence, on peut extraire beaucoup de lumière de la face supérieure de la structure.
AbstractList A nitride semiconductor device having an improved light extracting efficiency and a high light output. On a substrate, there is formed a multilayer structure of a first−conductivity−type layer (11), an active layer (3) and a second conductivity−type layer (12). In this second−conductivity−type layer (12) between a first nitride semiconductor layer (4) and an overlying second nitride semiconductor layer (6), there is sandwiched a third nitride semiconductor layer (5) of InAlGaN, which acts as a current constricting layer having an aperture (41). On the surface of the second−conductivity−type layer, there are partially formed an electrode (20) and a window (40) or a transparent film (30) provided in the window (40). As a result, much light can be extracted from the top face of the structure. L'invention concerne un appareil semi-conducteur nitrure possédant une meilleure efficacité d'extraction de lumière et une production de lumière élevée. Sur un substrat, une structure multicouches est formée avec une couche (11) d'un premier type de conductivité, une couche (3) active et une couche (12) d'un second type de conductivité. Dans cette couche (12) de second type de conductivité, entre une première couche (4) semi-conductrice nitrure et une seconde couche (6) semi-conductrice nitrure de couverture, on trouve entre les deux une troisième couche (5) semi-conductrice nitrure d'InAlGaN qui agit comme une couche de constriction de courant dotée d'une ouverture (41). Sur la surface de la couche (12) de second type de conductivité, on trouve, partiellement formés, une électrode (20) et une fenêtre (40) ou un film (30) transparent dans la fenêtre (40). En conséquence, on peut extraire beaucoup de lumière de la face supérieure de la structure.
Author NAGAHAMA, SHINICHI
YANAMOTO, TOMOYA
Author_xml – fullname: NAGAHAMA, SHINICHI
– fullname: YANAMOTO, TOMOYA
BookMark eNrjYmDJy89L5WTQ9vMMCfJ0cVUIdvX1dPb3cwl1DvEPUvDxdPcIUQAKhYR4-rkruLiGeTq78jCwpiXmFKfyQmluBkU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSS-HB_AyNDA2MLQ0NHQ2Ni1AAAdeEm0w
ContentType Patent
DBID EVB
DatabaseName esp@cenet
DatabaseTitleList
Database_xml – sequence: 1
  dbid: EVB
  name: esp@cenet
  url: http://worldwide.espacenet.com/singleLineSearch?locale=en_EP
  sourceTypes: Open Access Repository
DeliveryMethod fulltext_linktorsrc
Discipline Medicine
Chemistry
Sciences
DocumentTitleAlternate APPAREIL SEMI-CONDUCTEUR D'EMISSION DE LUMIERE
Edition 7
ExternalDocumentID WO02103811A1
GroupedDBID EVB
ID FETCH-epo_espacenet_WO02103811A13
IEDL.DBID EVB
IngestDate Fri Jul 19 12:43:30 EDT 2024
IsOpenAccess true
IsPeerReviewed false
IsScholarly false
Language English
French
Japanese
LinkModel DirectLink
MergedId FETCHMERGED-epo_espacenet_WO02103811A13
Notes Application Number: WO2001JP05097
OpenAccessLink https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20021227&DB=EPODOC&CC=WO&NR=02103811A1
ParticipantIDs epo_espacenet_WO02103811A1
PublicationCentury 2000
PublicationDate 20021227
PublicationDateYYYYMMDD 2002-12-27
PublicationDate_xml – month: 12
  year: 2002
  text: 20021227
  day: 27
PublicationDecade 2000
PublicationYear 2002
RelatedCompanies NICHIA CORPORATION
NAGAHAMA, SHINICHI
YANAMOTO, TOMOYA
RelatedCompanies_xml – name: NAGAHAMA, SHINICHI
– name: YANAMOTO, TOMOYA
– name: NICHIA CORPORATION
Score 2.6480253
Snippet A nitride semiconductor device having an improved light extracting efficiency and a high light output. On a substrate, there is formed a multilayer structure...
SourceID epo
SourceType Open Access Repository
SubjectTerms BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
Title NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
URI https://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20021227&DB=EPODOC&locale=&CC=WO&NR=02103811A1
hasFullText 1
inHoldings 1
isFullTextHit
isPrint
link http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1LS8NAEB5KFfWmVbH1QQTJRYI2u03cQxC7mzQRm5S4rb2VPBqwBy024t93sjTWi96WGdgXzHzz7WMG4Ir0ckZRZ5i0KAxK0sJg1l1mpNkttRETaKrKdA5Dyx_Tx2lv2oBF_RdG5Qn9UskR0aIytPdS-evl5hBLqLeVq5v0FUXv9550hF6zY3TEpq2LvuOOIhFxnXPkbXoYOxW1QXDqPiBT2qrC6CrPvjvpV79Slr8hxduH7RH29lYeQGORtGCX15XXWrAzXF94Y3Nte6tDuA4DGQfC1Z6rrYtCMeYyirWnYOBLDUVSBuFAE-4k4O4RXHqu5L6Bo85-ljh7iTYTJMfQROo_PwEtTyjJCcsYTSjyqC5DsC3sOWOZRQgGT23o_N1P5z_lKezVdU1M-wya5cfn_BzhtUwv1L58AyK9eSE
link.rule.ids 230,309,786,891,25594,76906
linkProvider European Patent Office
linkToHtml http://utb.summon.serialssolutions.com/2.0.0/link/0/eLvHCXMwfV1LS8NAEB5KFetNq2LrK4LkIkGb3SbuIYjdTZpom5S6rb2FPBqwBy024t93EhrrRW_LDOwLZr759jEDcEW6KaOo03SaZRolcaYx4y7R4uSWmogJNC7LdA59w53Qx1l3VoNF9RemzBP6VSZHRItK0N7z0l8vN4dYonxbubqJX1H0fu9IS6gVO0ZHrJuq6Fn2KBABVzlH3qb6Y6ugNghOnQdkSltmkZ23CJ2mveJXyvI3pDh7sD3C3t7yfagtoiY0eFV5rQk7w_WFNzbXtrc6gGvfk2NP2MpzsXWBLyZcBmNl4PVdqaBISs_vK8Keetw-hEvHltzVcNTwZ4nhS7CZIDmCOlL_-TEoaURJSljCaESRR3UYgm1mzhlLDEIweGpB--9-2v8pL6DhyuEgHHj-0wnsVjVOdPMU6vnH5_wMoTaPz8s9-gb08XwO
openUrl ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info%3Aofi%2Fenc%3AUTF-8&rfr_id=info%3Asid%2Fsummon.serialssolutions.com&rft_val_fmt=info%3Aofi%2Ffmt%3Akev%3Amtx%3Apatent&rft.title=NITRIDE+SEMICONDUCTOR+LIGHT+EMITTING+DEVICE&rft.inventor=NAGAHAMA%2C+SHINICHI&rft.inventor=YANAMOTO%2C+TOMOYA&rft.date=2002-12-27&rft.externalDBID=A1&rft.externalDocID=WO02103811A1