NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

A nitride semiconductor device having an improved light extracting efficiency and a high light output. On a substrate, there is formed a multilayer structure of a first−conductivity−type layer (11), an active layer (3) and a second conductivity−type layer (12). In this second−conductivity−type layer...

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Main Authors NAGAHAMA, SHINICHI, YANAMOTO, TOMOYA
Format Patent
LanguageEnglish
French
Japanese
Published 27.12.2002
Edition7
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A nitride semiconductor device having an improved light extracting efficiency and a high light output. On a substrate, there is formed a multilayer structure of a first−conductivity−type layer (11), an active layer (3) and a second conductivity−type layer (12). In this second−conductivity−type layer (12) between a first nitride semiconductor layer (4) and an overlying second nitride semiconductor layer (6), there is sandwiched a third nitride semiconductor layer (5) of InAlGaN, which acts as a current constricting layer having an aperture (41). On the surface of the second−conductivity−type layer, there are partially formed an electrode (20) and a window (40) or a transparent film (30) provided in the window (40). As a result, much light can be extracted from the top face of the structure. L'invention concerne un appareil semi-conducteur nitrure possédant une meilleure efficacité d'extraction de lumière et une production de lumière élevée. Sur un substrat, une structure multicouches est formée avec une couche (11) d'un premier type de conductivité, une couche (3) active et une couche (12) d'un second type de conductivité. Dans cette couche (12) de second type de conductivité, entre une première couche (4) semi-conductrice nitrure et une seconde couche (6) semi-conductrice nitrure de couverture, on trouve entre les deux une troisième couche (5) semi-conductrice nitrure d'InAlGaN qui agit comme une couche de constriction de courant dotée d'une ouverture (41). Sur la surface de la couche (12) de second type de conductivité, on trouve, partiellement formés, une électrode (20) et une fenêtre (40) ou un film (30) transparent dans la fenêtre (40). En conséquence, on peut extraire beaucoup de lumière de la face supérieure de la structure.
Bibliography:Application Number: WO2001JP05097