METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: IMAI, MASAYUKI, YONEKAWA, TSUKASA, NAKAJIMA, ANRI, TADA, YOSHIHIDE, YOKOYAMA, SHIN, NAKAMURA, GENJI
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 12.12.2002
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method of fabricating a semiconductor device, capable of improving the in−plane uniformity of a silicon nitride film or a silicon oxynitride film to be formed, and increasing a production efficiency at the film forming. The method comprises the steps of forming on a silicon substrate a first film consisting of a silicon oxide film or a silicon oxynitride film, forming a second film consisting of one tetrachlorosilane monomolecular layer, and nitriding the second film to form a third film consisting of one silicon nitride monomolecular layer. The second film forming step and the third film forming steps are repeated specified number of times to form a silicon nitride film of a specified film thickness. A fabrication device comprises a plurality of silicon substrates disposed on shelf−shaped wafer ports, a process gas being supplied toward above a reaction pipe from a process gas supply pipe. L'invention concerne un procédé permettant de produire un dispositif à semi-conducteur, apte à améliorer l'uniformité dans le plan d'un film de nitrure de silicium ou d'un film d'oxynitrure de silicium à former et d'augmenter l'efficacité de production au niveau filmogène. Ledit procédé comprend les étapes suivantes : former sur un substrat silicium un premier film comprenant un film d'oxyde de silicium ou un film d'oxynitrure de silicium ; former un deuxième film comprenant une couche monomoléculaire de tétrachlorosilane et nitrurer ledit deuxième film afin de former un troisième film comprenant une couche monomoléculaire de nitrure de silicium. La deuxième et la troisième étape de formation de film sont répétées un nombre spécifié de fois afin de former un film de nitrure de silicium d'épaisseur pelliculaire spécifiée. Un dispositif de fabrication correspondant comprend une pluralité de substrats silicium disposés sur des ports de tranches cupuliformes, un gaz de traitement étant alimenté en direction d'un conduit de réaction, depuis un conduit d'alimentation en gaz de traitement.