METHODS OF FORMING A NITRIDATED SURFACE ON A METALLIC LAYER AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

• Main Authors: NARWANKAR, PRAVIN, SAHIN, TURGUT, RAJAGOPALAN, RAVI
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.11.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A method of providing a stable interface between a metallic layer and a dielectric layer in a semiconductor device is provided. The method includes generating a remote nitrogen containing plasma and flowing activated nitrogen species, from the remote site to the location of the metallic layer. The activated nitrogen species are flowed over at least the surface of the metallic layer, where they react with the metallic surface to form a metal nitride. The treated layer can be used to provide a stable bottom electrode in a capacitor stack formation. L'invention concerne un procédé de formation d'une interface stable entre une couche métallique et une couche diélectrique dans un dispositif semiconducteur. Ce procédé consiste à créer à distance un plasma contenant de l'azote et à faire circuler des espèces azotées activées, du lieu à distance jusqu'à l'emplacement de la couche métallique. Ces espèces azotées activées circulent au moins sur la surface de la couche métallique où elles réagissent avec cette surface métallique pour former un nitrure métallique. Cette couche traitée peut être utilisée comme électrode inférieure stable dans une formation en empilement de condensateur.