PRODUCTION METHOD FOR LIGHT EMITTING ELEMENT ABSRACT

• Main Author: ISHIZAKI, JUN-YA
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 07.11.2002
• Edition: 7
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; CRYSTAL GROWTH; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

When p-type MgxZn1-xO is grown by an organometallic vapor growth method, a MgxZn1-xO layer is heat treated in an oxygen atmosphere during the growth and/or after the growth completion. In addition, the surface of a substrate to be grown and a material gas are irradiated with a ultraviolet ray when a semiconductor layer is vapor-grown. In addition, when a MgxZn1-xO buffer layer having its c-axis oriented in a layer thickness direction is formed by an atomic layer exitaxy method, a metal mono-atomic layer is grown at first. In addition, a ZnO-based semiconductor active layer is formed by a semiconductor material mainly consisting of ZnO containing Se or Te. A light emitting element is formed by using these techniques. Selon l'invention, lorsque l'on fait croître MgxZn1-xO de type p au moyen d'un procédé de croissance en phase vapeur à partir de composés organométalliques, une couche de MgxZn1-xO est traitée thermiquement dans une atmosphère d'oxygène au cours de la croissance et/ou après achèvement de la croissance. De plus, la surface d'un substrat faisant l'objet de la croissance et une substance gazeuse sont exposées à un rayonnement ultraviolet lorsque l'on fait croître une couche de semi-conducteur en phase vapeur. De plus, lorsqu'une couche tampon de MgxZn1-xO ayant son axe c orienté dans la direction de l'épaisseur de la couche, est formée au moyen d'un procédé d'épitaxie par couche atomique, a tout d'abord lieu la croissance d'une couche monoatomique métallique. De plus, une couche active de semi-conducteur basée sur ZnO est formée par un matériau semi-conducteur principalement constitué de ZnO et comprenant Se ou Te. Un élément luminescent est formé grâce à ces techniques.