VERTICAL GATE TOP ENGINEERING FOR IMPROVED GC AND CB PROCESS WINDOWS
A method for a memory cell has a trench capacitor and a vertical transistor adjacent to the capacitor. The vertical transistor has a gate conductor above the trench capacitor. The upper portion of the gate conductor is narrower than the lower portion of the gate conductor. The memory cell further in...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
31.10.2002
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Edition | 7 |
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Summary: | A method for a memory cell has a trench capacitor and a vertical transistor adjacent to the capacitor. The vertical transistor has a gate conductor above the trench capacitor. The upper portion of the gate conductor is narrower than the lower portion of the gate conductor. The memory cell further includes spacers adjacent the upper portion of the gate conductor and a bitline contact adjacent to the gate conductor. The spacers reduce short circuits between the bitline contact and the gate conductor. The gate contact above the gate conductor has an insulator which separates the gate contact from the bitline. The difference between the width of the upper and lower portions of the gate conductor reduces short circuits between the bitline contact and the gate conductor.
L'invention concerne un procédé pour une cellule de mémoire comportant un condensateur de tranchée et un transistor vertical adjacent audit condensateur. Le transistor vertical présente un conducteur de grille situé au dessus du condensateur de tranchée. La partie supérieure du conducteur de grille est plus étroite que la partie inférieure du conducteur de grille. La cellule de mémoire comprend également des espaceurs adjacents à la partie supérieure du conducteur de grille, et un contact de ligne de bits adjacent au conducteur de grille. Les espaceurs permettent de réduire les courts-circuits se produisant entre le contact de lignes de bits et le conducteur de grille. Le contact de grille situé au dessus du conducteur de grille comporte un isolateur qui sépare le contact de grille de la ligne de bits. La différence de largeur entre la partie supérieure et la partie inférieure du conducteur de grille permet de réduire les courts-circuits entre le contact de ligne de BITS et le conducteur de grille. |
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Bibliography: | Application Number: WO2002US10892 |