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Summary:The present invention is directed to low dielectric polymers and to methods of producing these low dielectric constant polymers, dielectric materials and layers, and electronic components. In one aspect of the present invention, an isomeric mixture of thermosetting monomers, wherein the monomers have a core structure and a plurality of arms, is provided, and the isomeric mixture of thermosetting monomers is polymerized, wherein polymerization comprises a reaction of an ethynyl group that is located in at least one arm of a monomer. In yet another aspect of the inventive subject matter, spin-on low dielectric constant materials are formed having a first backbone with an aromatic moiety and a first reactive group, and a second backbone with an aromatic moiety and a second reactive group, wherein the first and second backbone are crosslinked via the first and second reactive groups in a crosslinking reaction preferably without an additional crosslinker, and wherein a cage structure having at least eight (8) atoms is covalently bound to at least one of the first and second backbone. L'invention concerne des polymères faiblement diélectriques et des procédés de production de ces derniers, des matières et des couches diélectriques et des composants électroniques. L'invention, dans un mode de réalisation, concerne un mélange isomère de monomères thermodurcissables, les monomères comportant une structure de noyau et plusieurs bras. Le mélange isomère de monomères thermodurcissables est polymérisé, la polymérisation comprenant une réaction d'un groupe éthynyle situé dans au moins un bras d'un monomère. Dans un autre mode de réalisation, des matières à faible constante diélectrique appliquées par centrifugation sont formées, matières comprenant un premier squelette doté d'une fraction aromatique et d'un premier groupe réactif, et un second squelette doté d'une fraction aromatique et d'un second groupe réactif, le premier et le second squelette étant réticulés par le premier et le second groupe réactif dans une réaction de réticulation, de préférence sans réticulant additionnel, et une structure de cage à au moins huit (8) atomes étant liée par covalence à au moins un des squelettes.
Bibliography:Application Number: WO2001US32569