SEMICONDUCTOR MEMORY LOCATION AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

• Main Authors: GRUENING VON SCHWERIN, ULRIKE, GUSTIN, WOLFGANG, STRASSER, RUDOLF, TEMMLER, DIETMAR, SCHREMS, MARTIN, RONGEN, STEFAN
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 19.09.2002
• Edition: 7
• Subjects: ELECTRICITY

Es wird ein Grabenkondensator in einem Graben (30) gebildet, der in einem Substrat (20) angeordnet ist. Der Graben (30) ist mit einer leitfähigen Grabenfüllung (50) als innere Kondensatorelektrode gefüllt. Auf der Seitenwand des Grabens (30) auf dem Substrat (20) wird eine epitaktische Schicht (75) aufgewachsen. Zwischen der leitfähigen Grabenfüllung (50) mit der zweiten Zwischenschicht (65) und der epitaktisch aufgewachsenen Schicht (75) ist ein vergrabener Kontakt (60) angeordnet. In der epitaktisch aufgewachsenen Schicht (75) ist eine Dotierstoffausdiffusion (80) angeordnet, die aus dem vergrabenen Kontakt (60) heraus gebildet wird. Durch die epitaktisch aufgewachsene Schicht (75) ist die Dotierstoffausdiffusion (80) weiter von einem neben dem Graben angeordneten Auswahltransistor (10) entfernt, wodurch Kurzkanaleffekte in dem Auswahltransistor (10) vermieden werden können. According to the invention, a trench capacitor is formed inside a trench (30) that is arranged inside a substrate (20). The trench (30) is filled with a conductive trench filling (50) that serves as an inner capacitor electrode. An epitaxial layer (75) is grown on the lateral wall of the trench (30) on the substrate (20). A buried contact (60) is arranged between the conductive trench filling (50) with the second intermediate layer (65) and the epitaxially grown layer (75). A dopant out-diffusion (80), which is formed while leading out from the buried contact (60), is arranged inside the epitaxially grown layer (75). The epitaxially grown layer (75) enables the dopant out-diffusion (80) to be further removed from a selection transistor (10) located next to the trench whereby permitting the prevention of short channel effects in the selection transistor (10). Selon la présente invention, un condensateur de tranchée est pourvu dans une tranchée (30) qui est située dans un substrat (20). Ladite tranchée (30) est remplie d'un matériau de remplissage de tranchée conducteur (50), qui sert d'électrode de condensateur interne. Une couche épitaxiale (75) est obtenue par croissance sur la paroi latérale de la tranchée (30), sur le substrat (20). Un contact enterré (60) est monté entre le matériau de remplissage de tranchée conducteur (50), comprenant une seconde couche intermédiaire (65), et la couche de croissance épitaxiale (75). Un phénomène de diffusion d'impuretés de dopage (80) se produit dans la couche de croissance épitaxiale (75), à partir du contact enterré (60). En traversant la couche de croissance épitaxiale (75), la diffusion d'impuretés de dopage (80) est à nouveau éliminée par rapport à un transistor de sélection (10) situé à côté de la tranchée, ce qui permet d'éviter les effets de canal court dans ce transistor de sélection (10).