PLASMA RIE POLYMER REMOVAL

• Main Authors: JAHNES, CHRISTOPHER, VINCENT, TIMOTHY, DALTON, COWLEY, ANDY, EMMI, PETER
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 24.01.2002
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ARTCOLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS

A method for removal of post reactive ion etch by-product from a semiconductor wafer surface or microelectronic composite structure comprising:supplying a reducing gas plasma incorporating a forming gas mixture selected from the group consisting of a mixture of N2/H2 or a mixture of NH3/H2 into a vacuum chamber in which a semiconductor wafer surface or a microelectronic composite structure is supported to form a post-RIE polymer material by-product on the composite structure without significant removal of an organic, low K material which has also been exposed to the reducing gas plasma; and removing the post-RIE polymer material by-product with a wet clean. L'invention concerne un procédé d'enlèvement du sous-produit résultant de la réaction de gravure ionique sur une surface de plaquette de semiconducteur ou sur une structure composite micro-électronique. Ce procédé consiste : à apporter un plasma de gaz réducteur à base d'un mélange de gaz formateurs, tels que N2/H2 ou NH3/H2 dans une chambre à dépression dans laquelle la surface de plaquette de semiconducteur ou la structure composite micro-électronique est placée en vue de la formation dudit sous-produit de réaction sur une structure composite sans enlèvement notable d'un matériau organique à faible coefficient k qui a également été exposé au plasma du gaz réducteur. Le procédé se termine par l'enlèvement dudit sous-produit par lavage.