METHOD AND STRUCTURE TO REDUCE THE DAMAGE ASSOCIATED WITH PROGRAMMING ELECTRICAL FUSES

• Main Authors: STETTER, MICHAEL, KOTHANDARAMAN, C., RAMAN, IYER, SUNDAR
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.03.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

An improved fuse structure in an integrated circuit IC structure is made by forming a gate stack comprised of layers of polysilicon and a silicide. Subsequent to the formation of the silicide layer 12, an etch stop silicon nitride layer 15 is deposited over the silicide layer. The silicon nitride layer is patterned to expose the silicide layer. A soft passivation layer 18 is deposited over the exposed silicide layer. The soft passivation layer has a low thermal conductivity which confines energy in the silicide layer, minimizing the current needed to program the fuse. The inherent ductility of the soft passivation layer prevents the generation of cracks in the surrounding layers. On fabrique une structure de fusible perfectionnée dans une structure à circuit intégré (CI) en formant une pile de portes constituées de couches de silicium polycristallin et d'un siliciure. Après la formation de la couche de siliciure, on dépose une couche de nitrure de silicium d'arrêt de gravure sur la couche de siliciure. On forme un motif dans ladite couche de niture de silicium pour exposer la couche de siliciure. On dépose une couche de passivation molle sur la couche de siliciure exposée. Ladite couche de passivation molle possède une faible conductivité thermique qui confine l'énergie dans la couche de siliciure, le courant nécessaire à la programmation du fusible étant ainsi réduit au minimum. La ductilité inhérente de la couche de passivation molle empêche la génération de fissures dans les couches avoisinantes.