MULTI-METAL LAYER CIRCUIT

• Main Authors: SMITHSON, ROBERT, L., W, RICHMOND, VICKI, L, LUENEBURG, DAVID, C, SHIRCK, JAMES, R, SCHLADER, BRADLEY, J, LARSON, DONALD, K
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 10.01.2002
• Edition: 7
• Subjects: CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; PRINTED CIRCUITS

A circuit (10) includes a dielectric substrate (12) having two spaced apart major surfaces (12a, 12b). A first conductive layer (14) is formed on each major surface (12a, 12b) of the dielectric substrate (12). The first conductive layers (14) and the dielectric substrate (12) define a composite base substrate (16) having a tensile modulus at least 2 times greater than the tensile modulus of the dielectric substrate (12). A via (18) including a sidewall (20) extends through the composite base substrate (16). The via (18) defines edge portions (23a, 23b) in the composite base substrate (16). The edge portions (23a, 23b) of the via (18) have respective diameters less than 50 micrometers and define a via taper angle (A) less than 25 degrees. Each first conductive layer (14) is patterned to define a perimeter of a capture pad (24) encompassing the via (18). The perimeter of each capture pad (24) has a diameter less than 150 micrometers. A conductive seed layer (22) is formed on the sidewall (20) of the via (18). A second conductive layer (28) is formed contiguously on each first conductive layer (14) and on the seed layer (22). L'invention concerne un circuit (10) comprenant un substrat diélectrique (12) possédant deux surfaces principales espacées (12a, 12b). Une première couche conductrice (14) est formée sur chaque surface principale (12a, 12b) du substrat diélectrique (12). Les premières couche conductrices (14) et le substrat diélectrique (12) définissent un substrat de base composite (16) dont le module d'élasticité en tension est au moins deux fois supérieur à celui du substrat diélectrique (12). Un trou d'interconnexion (18) comprenant une paroi latérale (20) traverse le substrat de base composite (16). Le trou d'interconnexion (18) définit des bords (23a, 23b) dans le substrat de base composite (16). Les bords (23a, 23b) du trou d'interconnexion (18) ont des diamètres respectifs inférieurs à 50 micromètres et définissent un angle conique (A) de trou d'interconnexion inférieur à 25 degrés. Chaque première couche conductrice (14) est conçue pour définir le périmètre d'une plaquette de capture (24) comprenant le trou d'interconnexion (18). Le périmètre de chaque plaquette de capture (24) possède un diamètre inférieur à 150 micromètres. Une couche germe conductrice (22) est formée sur la paroi latérale (20) du trou d'interconnexion (18). Une seconde couche conductrice (28) est formée de façon contiguë sur chaque première couche conductrice (14) et sur la couche germe (22).