SOFT RECOVERY POWER DIODE AND RELATED METHOD

A semiconductor diode includes a first semiconductor layer including a dopant having a first conductivity type. A second semiconductor layer is adjacent the first semiconductor layer and includes a dopant having the first conductivity type and having a dopant concentration less than a dopant concent...

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Main Author SHENOY, PRAVEEN, MURALEEDHARAN
Format Patent
LanguageEnglish
French
Published 18.04.2002
Edition7
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:A semiconductor diode includes a first semiconductor layer including a dopant having a first conductivity type. A second semiconductor layer is adjacent the first semiconductor layer and includes a dopant having the first conductivity type and having a dopant concentration less than a dopant concentration of the first semiconductor layer. Adjacent the second semiconductor layer is a third semiconductor layer including a dopant having the first conductivity type and having a dopant concentration greater than the dopant concentration of the second semiconductor layer. A fourth semiconductor layer is adjacent the third semiconductor layer and includes a dopant of a second conductivity type. Respective contacts are connected to the first and fourth semiconductor layers. Cette invention se rapporte à une diode à semi-conducteur, qui comprend une première couche de semi-conducteur contenant un dopant ayant un premier type de conductivité. Une seconde couche de semi-conducteur est placée adjacente à la première couche de semi-conducteur et contient un dopant ayant le premier type de conductivité et possédant une concentration de dopant inférieure à la concentration de dopant de la première couche de semi-conducteur. A proximité adjacente de la seconde couche de semi-conducteur est placée une troisième couche de semi-conducteur contenant un dopant ayant le premier type de conductivité et présentant une concentration de dopant supérieure à la concentration de dopant de la seconde couche de semi-conducteur. Une quatrième couche de semi-conducteur est placée adjacente à la troisième couche de semi-conducteur et contient un dopant d'un second type de conductivité. Des contacts respectifs sont connectés à la première et à la quatrième couche de semi-conducteur.
Bibliography:Application Number: WO2001US19990