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Summary:A detergent composition which is less apt to corrode wiring materials and is highly effective in cleansing a semiconductor substrate or semiconductor element having fine particles or impurity metal particles adherent thereto. The detergent composition contains a reducing agent and has an oxidation-reduction potential (25 DEG C) of +0.2 V or lower and a pH (25 DEG C) of 3 to 12. Also provided is a method of cleansing a semiconductor substrate or semiconductor element with the detergent composition. L'invention concerne une composition détergente moins corrosive pour des matériaux de cablage et hautement efficace dans le nettoyage d'un substrat semi-conducteur ou d'un élément semi-conducteur auxquels adhèrent de fines particules ou des particules d'impuretés métalliques. La composition détergente contient un agent de réduction et présente un potentiel redox (25 DEG C) de +0,2 V ou moins et un pH (25 DEG C) de 3 à 12. L'invention concerne également un procédé de nettoyage d'un substrat semi-conducteur ou d'un élément semi-conducteur avec la composition détergente.
Bibliography:Application Number: WO2001JP05091