METHOD FOR PRODUCING A PLANAR MASK ON SURFACES HAVING RELIEFS

• Main Authors: STEGEMANN, MAIK, UHLIG, INES
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 20.12.2001
• Edition: 7
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer planaren Maske auf topologiehaltigen Oberflächen, wobei Vertiefungen (V) mit einem selektiven Oxid (1) aufgefüllt werden und anschliessend eine konforme Maskenschicht (2) und eine Antireflexionsschicht (3) ausgebildet wird. Aufgrund dieser verbesserten Planarität wird ein grösseres Lithographie-Prozessfenster erreicht. Gleichzeitig ermöglicht die Verwendung dünnerer organischer ARC-Schichten einen geringeren Lackverbrauch während der Ätzung und damit ein verbessertes Ätzprozessfenster. The invention relates to a method for producing a planar mask on surfaces having reliefs, whereby recesses (V) are filled with a selective oxide (1) and a mask layer (2) conforming to the shape thereof and an antireflecting layer (3) are subsequently formed. A larger lithography processing window is obtained due to this improved planarity. At the same time, the use of thinner organic antireflecting coated layers results in reducing the amount of lacquer used during etching thus providing an improved etching processing window. L'invention concerne un procédé pour produire un masque plat sur des surfaces à reliefs. Selon l'invention, des évidements (V) sont remplis d'un oxyde sélectif (1), puis une couche de masquage (2), de forme correspondante, et une couche antireflet (3) sont appliquées. Cette planéité améliorée permet d'obtenir une fenêtre de processus lithographique de taille plus importante. L'utilisation de couches antireflet organiques plus minces permet simultanément de réduire la consommation de résine photosensible pendant l'attaque et d'obtenir ainsi une fenêtre de processus d'attaque améliorée.