METHOD FOR PREPARING QUARTZ GLASS CRUCIBLE

• Main Authors: OHAMA, YASUO, MIZUNO, SHIGEO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 06.12.2001
• Edition: 7
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; GLASS; MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES; METALLURGY; MINERAL OR SLAG WOOL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

A method for preparing a quartz glass crucible which involves a substrate forming process of feeding a silicon dioxide powder to the inside of a rotating mold to form the powder by centrifugal force into a formed product having a shape of a crucible and then melting the formed product by heating to prepare a semi-transparent quartz glass crucible substrate, and an inner layer forming process of feeding again a silicon dioxide powder into a hot atmosphere inside the crucible substrate during or after forming the crucible substrate to form an inside layer of transparent quartz glass on the inside surface of the crucible substrate, characterized in that it further comprises introducing water vapor to the inside of the crucible substrate in at least a part of the period of the inner layer forming process. A quartz glass crucible prepared by the method allows the pulling up of a silicon single crystal which is free from the occurrence of vibration of a silicon melt surface or of dislocation of a crystal caused by the exfoliation of a piece of quartz glass and thus exhibits a high yield. L'invention porte sur un procédé de préparation d'un creuset en verre de silice consistant d'abord à former un substrat en amenant une poudre de dioxyde de silicium à l'intérieur d'un moule rotatif de sorte que la poudre sous l'action de la force centrifuge se transforme en un produit ayant la forme d'un creuset, puis à faire fondre le produit obtenu en le chauffant pour préparer un substrat de creuset en verre de silice semi-transparent, puis à former une couche interne en amenant à nouveau une poudre de dioxyde de silicium dans une atmosphère chaude à l'intérieur du substrat du creuset pendant ou après la formation du substrat afin de former une couche interne en verre de silice semi-transparent sur la surface interne du substrat. Ce procédé se caractérise également en ce qu'il consiste à introduire de la vapeur d'eau à l'intérieur du substrat du creuset durant au moins une partie de la période de formation de la couche interne. Le creuset en verre de silice préparé selon ce procédé permet le tirage du monocristal de silicium sans apparition de vibrations qui pourraient provenir de la surface du bain de silicium ou de la dislocation d'un cristal due à l'exfoliation d'un morceau de verre de silice, ce qui permet d'obtenir un rendement élevé.