SEMICONDUCTOR ELECTRET CAPACITOR MICROPHONE
The noise level of a semiconductor electret capacitor microphone is decreased significantly. A semiconductor electret capacitor microphone comprises a diaphragm (200); a semiconductor chip (100) having spacers (120) for providing predetermined clearances between the diaphragm (200) and a required el...
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Format | Patent |
Language | English French Japanese |
Published |
01.11.2001
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Edition | 7 |
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Summary: | The noise level of a semiconductor electret capacitor microphone is decreased significantly. A semiconductor electret capacitor microphone comprises a diaphragm (200); a semiconductor chip (100) having spacers (120) for providing predetermined clearances between the diaphragm (200) and a required electronic circuit (130), a fixed electrode (100) and a fixed electrode (110); and a case (400) housing the semiconductor chip (100) and the diaphragm (200). The fixed electrode (110) is connected to ground, and the diaphragm (200) is connected to an input electrode (143) of the semiconductor chip (100). The diaphragm (200) is connected to the input electrode (143) using a conductive spring cover (300) in contact with a diaphragm ring (210) connected electrically with the diaphragm (200), an intermediate terminal 412C formed in the case (400) and being in contact with part of the conductive spring cover (300), and a bonding wire (153) that is means of connection between the intermediate terminal 412C and the input electrode (143).
Selon l'invention, le niveau de bruit d'un microphone électrostatique à capacitance à électret semi-conducteur diminue de façon significative. Un tel microphone comprend un diaphragme (200); une microplaquette semi-conductrice (100) dotée d'espaceurs (120) pour assurer des dégagements prédéterminés entre le diaphragme (200), un circuit électronique (130) requis et une électrode fixe (110); et entre un boîtier (400) contenant la microplaquette semi-conductrice (100) et le diaphragme (200). L'électrode fixe (110) est reliée au sol, et le diaphragme (200) à une électrode d'entrée (143) de la microplaquette semi-conductrice (100). Le diaphragme (200) est relié à l'électrode d'entrée (143) par un couvre-ressort conducteur (300) en prise avec une bague (210) de diaphragme reliée électriquement au diaphragme (200). Un terminal (412C) intermédiaire, formé dans le boîtier (400), est en prise avec une partie du couvre-ressort conducteur (300). Enfin, un fil de liaison (153) relie ledit terminal (412C) à l'électrode d'entrée. |
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Bibliography: | Application Number: WO2001JP03371 |