PROCESS FOR PREPARING METAL NITRIDE THIN FILM EMPLOYING AMINE-ADDUCT SINGLE-SOURCE PRECURSOR

• Main Author: PARK, JOON-TAIK
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 26.07.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

The present invention relates to a process for preparing metal nitride thin film by chemical deposition employing amine-adduct single-source precursor at low temperatures. In accordance with the present invention, the chemical deposition is performed at low temperatures with a relatively cheap silicon substrate instead of expensive sapphire, which makes possible the economical preparation of the nitride thin film. Furthermore, since the invented process can eliminate the problems confronted in the post electrode deposition caused by insulating substrate, it can be practically applied to the development of new materials and the preparation of multi-layer thin film. La présente invention concerne un procédé de préparation d'un film mince au nitrure de métal par déposition chimique au moyen d'un précurseur source unique d'adduit amine à basse température. Selon la présente invention, la déposition chimique est effectuée à basse température avec un semi-conducteur bon marché ayant un substrat en silicium plutôt qu'en saphir plus coûteux, ceci permettant de préparer de manière économique le film mince au nitrure. De plus, étant donné que le procédé selon l'invention peut éliminer les problèmes rencontrés après le dépôt de l'électrode et induits par le substrat isolant, ce procédé peut être utilisé dans la pratique pour mettre au point de nouveaux matériaux et pour préparer des films minces multicouches.