DEPLETION TYPE MOS TRANSISTOR

• Main Authors: VAN ZWOL, JOHANNES, EMMERIK, ARNOLDUS, J., M, ZINGG, RENE, P
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.06.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The invention relates to a SOI deep depletion MOS transistor provided in a thin silicon layer (5) adjoining a surface (4) of a silicon body (3) and insulated from a silicon substrate (7) by a buried oxide layer (6). The channel region (13) of a first conductivity type is provided with at least one and preferably a plurality of zones (16) of the opposite conductivity type adjoining the surface to remove minority carriers from the interface between the channel and the gate oxide (15). The zones (16) extend across the whole thickness of the channel and adjoin the buried oxide at the side of the channel remote from the gate dielectric. Due to this construction, minority carriers are removed also from the rear side of the channel. This enables the transistor to be operative also at high voltages having values at which the substrate and the buried oxide operate as a second gate and as a second gate dielectric, respectively. The transistor may be used to advantage in high-voltage ICs comprising a low-voltage circuit part operated with a low supply voltage generated by the transistor. La présente invention concerne un transistor MOS à forte déplétion SOI placé dans une fine couche (5) de silicium limitrophe d'une surface (4) de corps (3) de silicium et isolé d'un substrat (7) de silicium par une couche (6) d'oxyde noyée. La région (13) canal d'un premier type de conductivité est pourvue d'au moins une zone (16) et de préférence d'une pluralité de zones du type de conductivité opposé contiguës à cette surface de façon à retirer des porteurs minoritaires de l'interface située entre le canal et l'oxyde de grille (15). Ces zones (16) sont situées à travers toute l'épaisseur de ce canal et sont contiguës à l'oxyde noyé du côté du canal à distance de l'isolant à porte. Grâce à cette construction, les porteurs minoritaires sont également retirés de la partie arrière du canal. Ceci permet à ce transistor de pouvoir fonctionner également sous hautes tensions à des niveau pour lesquels le substrat et l'oxyde noyé fonctionnent comme une seconde porte et comme un second isolant à porte, respectivement. Ce transistor peut aussi être avantageusement utilisé dans des circuits intégrés à hautes tensions qui comprennent un circuit basse tension alimenté par une basse tension générée par ce transistor.