SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: LUDIKHUIZE, ADRIANUS, W, MEEUWSEN, CONSTANTINUS, P
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.06.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The invention relates to a high-voltage deep depletion transistor, provided in a semiconductor body (1) having a substrate (2) of a first conductivity type, for example the p-type, and a surface layer (3) of the opposite conductivity type, for example the n-type for an n-channel transistor. To prevent formation of inversion layers below the gate, the channel is subdivided into a plurality of sub-channel regions (7a, 7b, 7c, 7d) mutually separated by p-type regions (11a, 11b, 11c, 11d) which serve to remove generated holes. The p-type regions extend across the whole thickness of the channel and are contacted via the substrate. Each sub-channel region may be subdivided further by intermediate p-type regions (13) to improve the removal of holes. L'invention concerne un transistor haute tension à déplétion profonde, mis en oeuvre dans un élément à semi-conducteurs (1) comportant un substrat (2) présentant un premier type de conductivité, par exemple de type P, et une couche surfacique (3) de conductivité opposée, par exemple de type N pour un transistor à canal N. Pour éviter la formation de couches d'inversion en dessous de la grille, le canal est subdivisé en une pluralité de régions de sous-canaux (7a, 7b, 7c, 7d) mutuellement séparées par des régions de type P (11a, 11b, 11c, 11d) servant à éliminer les trous créés. Les régions de type P s'étendent au travers de toute la largeur du canal et sont mises en contact au moyen du substrat. Chaque région de sous-canal peut être subdivisée de manière complémentaire par des régions de type P intermédiaires (13) afin d'améliorer l'élimination des trous.