SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT

• Main Author: WICKER, THOMAS, E
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 28.06.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

A plasma processing chamber including a slip cast part having a surface thereof exposed to the interior space of the chamber. The slip cast part includes free silicon contained therein and a protective layer on the surface which protects the silicon from being attacked by plasma in the interior space of the chamber. The slip cast part can be made of slip cast silicon carbide coated with CVD silicon carbide. The slip cast part can comprise one or more parts of the chamber such as a wafer passage insert (21), a monolithic or tiled liner (20), a plasma screen (22), a showerhead, dielectric member, or the like. The slip cast part reduces particle contamination and reduces process drift in plasma processes such as plasma etching of dielectric materials such as silicon oxide. L'invention concerne une chambre de traitement au plasma comprenant une partie coulée en barbotine présentant une surface exposée vers l'intérieur de ladite chambre. La partie coulée en barbotine comporte du silicium libre et une couche de protection sur ladite surface qui protège le silicium contre l'attaque du plasma à l'intérieur de la chambre. La partie coulée en barbotine peut être en carbure de silicium coulé en barbotine revêtu de carbure de silicium déposé en phase vapeur. La partie coulée en barbotine peut se composer d'au moins une partie de la chambre, par exemple un insert (21) de passage de plaquette, un revêtement (20) monolithique en mosaïque, un écran à plasma (22), une pomme d'arrosoir, un élément diélectrique, ou analogue. La partie coulée en barbotine réduit la contamination particulaire ainsi que la dérive de processus, par exemple la gravure au plasma de matériaux diélectriques tels que l'oxyde de silicium.