More Information
Summary:The present invention relates to a method for production of high purity silicon where a silane or a chlorosilane is supplied to one end of a cylinder-shaped pipe reactor which reactor is heated to a temperature above the dissociation temperature of the silane or chlorosilane and where the produced silicon is deposited on the inner walls of the cylinder. In the method it is used a cylinder-shaped pipe reactor made from a metal or an alloy having a higher melting point than silicon and which has a low solubility in solid silicon and where heat is supplied to the reactor by supply of electric energy to the cylinder. The invention further relates to an apparatus for carrying out the method. Cette invention se rapporte à un procédé de production de silicium hautement pur, qui consiste à acheminer un silane ou un chlorosilane à l'une des extrémités d'un réacteur tubulaire cylindrique, lequel est chauffé à une température supérieure à la température de dissociation du silane ou du chlorosilane et dans lequel le silicium produit est déposé sur les parois internes du cylindre. Dans ce procédé, on utilise un réacteur tubulaire en forme de cylindre fabriqué à partir d'un métal ou d'un alliage ayant un point de fusion supérieur à celui du silicium et qui possède une faible solubilité dans le silicium solide et dans lequel la chaleur est amenée au réacteur par introduction d'énergie électrique dans le cylindre. Cette invention se rapporte à en outre à un appareil de réalisation de ce procédé.
Bibliography:Application Number: WO2000NO00295