INTERFEROMETRIC METHOD FOR ENDPOINTING PLASMA ETCH PROCESSES
A method for monitoring a device fabrication process. The method includes etching into a wafer disposed inside a chamber and detecting the intensity of a portion of a light reflected from a surface of the wafer and further scattered at a scattering inside surface of the chamber. Procédé servant à co...
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Format | Patent |
Language | English French |
Published |
05.04.2001
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Edition | 7 |
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Summary: | A method for monitoring a device fabrication process. The method includes etching into a wafer disposed inside a chamber and detecting the intensity of a portion of a light reflected from a surface of the wafer and further scattered at a scattering inside surface of the chamber.
Procédé servant à contrôler le processus de fabrication d'un composant. Ce procédé consiste à effectuer une gravure dans une tranche placée à l'intérieur d'une chambre et à détecter l'intensité d'une partie d'une lumière réfléchie depuis une surface de la tranche et rediffusée au niveau d'une surface intérieure de diffusion de la chambre. |
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Bibliography: | Application Number: WO2000US26600 |