ELECTROLESS PLATING METHOD

• Main Author: NAKAMURA, TETSUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; French; Japanese
• Published: 05.04.2001
• Edition: 7
• Subjects: CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

A metallic film (2) of a metal on which an electroless plating film can be deposited is formed on part of the surface of a thermoelectric semiconductor (8), an object to be plated, made of a material which cannot be directly plated electrollessly. The thermoelectric semiconductor (8) is dipped in an electroless plating bath to form a uniform conductive film (3), i.e., an electroless plating film on the whole surface of the thermoelectric semiconductor (8), including the surface of the metallic film (2). Selon cette invention, un film (2) métallique sur lequel peut être effectué un dépôt autocatalytique est formé sur une partie de la surface d'un semi-conducteur (8) thermoélectrique, un objet à métalliser fabriqué dans un matériau qui ne peut être directement déposé selon un procédé non électrolytique. Le semi-conducteur (8) thermoélectrique est trempé dans un bain chimique de façon à former un film (3) conducteur uniforme, c.-à-d. un film déposé selon un procédé non électrolytique sur toute la surface du semi-conducteur (8), y compris la surface du film (2) métallique.