METHOD FOR ETCH RATE ENHANCEMENT BY BACKGROUND OXYGEN CONTROL IN A SOFT ETCH SYSTEM

• Main Authors: GOLOVATO, STEPHEN, N, WESTENDORP, JOHANNES, F., M
• Format: Patent
• Language: English; French
• Published: 27.09.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Invention is etching substrate (26) containing oxide layer to reduce activated oxygen within plasma (22) and maintain high soft etch rate in series of subsequent etches. Second substrate (28) in form of substrate ring, is utilized in processing chamber (12) and is etched in conjunction with first substrate (26) being processed. Substrate ring (28) is formed of material which, when etched, reacts with activated oxygen to form stable oxygen-containing compound which may be evacuated from system. L'invention concerne un substrat d'attaque (26) renfermant une couche d'oxyde pour réduire l'oxygène activé dans le plasma (22) et maintenir une vitesse d'attaque douce élevée dans une série d'attaques ultérieures. Un second substrat (28) de forme annulaire, utilisé dans une chambre de traitement (12), est attaqué conjointement avec le premier substrat (26) en traitement. L'anneau-substrat (28) est formé d'un matériau qui, attaqué, réagit avec l'oxygène activé pour former un composé contenant de l'oxygène stable que l'on peut évacuer du système. Selon d'autres aspects de l'invention, on détermine en premier lieu l'emploi d'un niveau de puissance pour coupler inductivement l'énergie au plasma (22) afin d'établir un niveau de tension de polarisation sur le substrat d'environ 100 volts. En second lieu, un niveau de puissance inférieur est déterminé afin de produire un niveau de tension de polarisation sur le substrat qui n'excède pas sensiblement 300 volts. Le niveau de puissance d'attaque est choisi de façon à coupler inductivement l'énergie au plasma (22) dans la gamme des premier et second niveaux de puissance, mais plus proche du second niveau de puissance que du premier, afin de réduire l'oxygène activé dans le plasma (22). Le substrat subit une attaque douce au niveau de puissance choisi de façon à produire 300-500 ANGSTROM /min pour un oxyde semi-conducteur tel que le dioxyde de silicium, et 75-125 ANGSTROM /min pour un oxyde de métal.